高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值（tanδ）和介電常數(shù)（ε）的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007，美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求

詳細(xì)介紹

高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)適用范圍：

能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。

它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007，美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
本測(cè)試裝置是由測(cè)微平板電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過(guò)公式計(jì)算得到。

同樣，由平板電容器的刻度讀數(shù)變化，通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)概述

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，

還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，

通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），

可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；

儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。

它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，

標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，

改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，

并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。

儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，

電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，

電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。

該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。儀器遵從標(biāo)準(zhǔn)：GB/T5594.4-1985。

高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)儀器的技術(shù)指標(biāo)

1．Q值測(cè)量

a．Q值測(cè)量范圍：5～999。

b．Q值量程分檔：30、100、300、999、自動(dòng)換檔。

c．標(biāo)稱(chēng)誤差

頻率范圍：25kHz～10MHz；

固有誤差：≤5％±滿(mǎn)度值的2％；工作誤差：≤7％±滿(mǎn)度值的2％；

頻率范圍：10MHz～50MHz；

固有誤差：≤7％±滿(mǎn)度值的2％；工作誤差：≤10％±滿(mǎn)度值的2％。

2．電感測(cè)量

a．測(cè)量范圍：0.1μH～1H。

b．分檔：分七個(gè)量程。

0.1～1μH， 1～10μH， 10～100μH，

0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。

3．電容測(cè)量

a．測(cè)量范圍：1～460pF(460pF以上的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則)；

b．電容量調(diào)節(jié)范圍

主調(diào)電容器：40～500pF；

準(zhǔn) 確度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；

微調(diào)電容量：－3pF～0～＋3pF；

準(zhǔn) 確度：±0.2pF。

4．振蕩頻率

a．振蕩頻率范圍：25kHz～50MHz；

b．頻率分檔：

25～74kHz， 74～213kHz， 213-700kHz， 700kHz～1.95MHz，

1.95MHz～5.2MHz， 5.2MHz～17MHz， 17～50MHz。

c．頻率誤差：2×10^-4±1個(gè)字。

5．Q合格指示預(yù)置功能，預(yù)置范圍：5～999。

6．儀器正常工作條件

a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；

b．相對(duì)濕度：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

7．試樣尺寸

圓片形：厚度2+0.5mm，直徑為Φ30~40mm（ε<12時(shí)），Φ25~35mm（ε=12~30時(shí)），Φ15~20mm（ε>30時(shí)）

8．其他

a．消耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)實(shí)驗(yàn)步驟：

1．本儀器適用于110V/220V , 50Hz+0.5Hz交流電，使用前要檢查市電電壓是否合適，采用穩(wěn)壓電源，以保證測(cè)試條件的穩(wěn)定。

2．開(kāi)機(jī)預(yù)熱15分鐘，使儀器恢復(fù)正常狀態(tài)后才能開(kāi)始測(cè)試。

3．按部件標(biāo)準(zhǔn)制備好的陶瓷試樣，兩面用燒滲法被上銀層，并分別焊上一根Φ0.8mm，30~40mm長(zhǎng)的金屬引線。引線材料為銅，表面鍍銀并浸錫。

4．選擇適當(dāng)?shù)妮o助線圈插入電感接線柱。根據(jù)需要選擇振蕩器頻率，調(diào)節(jié)測(cè)試電路電容器使電路諧振。假定諧振時(shí)電容為C₁，品質(zhì)因素為Q₁。

5．將被測(cè)樣品接在“C_X”接線柱上。

6．再調(diào)節(jié)測(cè)試電路電容器使電路諧振，這時(shí)電容為C₂，可以直接讀出Q₂，并且Q₂= Q₁－△Q，。

7．用游標(biāo)卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d（分別在不同位置測(cè)得兩個(gè)數(shù)據(jù)，再取其平均值）。

8.方形式樣按其邊長(zhǎng)的4倍計(jì)算Φ值

高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)實(shí)驗(yàn)結(jié)果：

1．tanδ和ε測(cè)定記錄

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)按表1要求填寫(xiě)。

表1 tanδ和ε測(cè)定記錄表

試樣名稱(chēng)				測(cè)定人				測(cè)定時(shí)間
試樣處理
編號(hào)	C₁	C₂	C	d	ψ	δ	Q₁	△Q	Q₂	tanδ	Q_X

2．計(jì)算

1）介電常數(shù)ε

式中：C---試樣的電容量（PF）, C= C₁－C₂；

d---試樣厚度（cm）；

Φ—試樣直徑（cm）。

2）介質(zhì)損耗角正切tanδ

3) Q值

高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)注意事項(xiàng)

1．圓片形試樣的尺寸（Φ=38mm+1mm，d=2mm+0.5mm）要符合公差要求，兩面燒滲銀層、浸錫及焊接引出線要符合技術(shù)條件。

2．電壓或頻率的劇烈波動(dòng)常使電橋不能達(dá)到良好的平衡，所以測(cè)定時(shí)，電壓和頻率要求穩(wěn)定，電壓變動(dòng)不得大于1%，頻率變動(dòng)不得大于0.5%。

3．電極與試樣的接觸情況，對(duì)tanδ的測(cè)試結(jié)果有很大影響，因此燒滲銀層電極要求接觸良好、均勻，而厚度合適。

4．試樣吸濕后，測(cè)得的tanδ值增大，影響測(cè)量精度，應(yīng)嚴(yán)格避免試樣吸潮。

5．在測(cè)量過(guò)程中，注意隨時(shí)檢查電橋本體屏蔽的情況，當(dāng)電橋真正達(dá)到平衡，“本體-屏蔽”開(kāi)關(guān)置于任何一邊時(shí)，檢查計(jì)光帶均應(yīng)zui小，而無(wú)大變化。

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