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          北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司>>介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試>>介電常數(shù)測(cè)試儀>> GDAT-A介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

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          介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

          介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀
          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 型號(hào) GDAT-A
          • 品牌
          • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
          • 所在地 北京市

          更新時(shí)間:2024-08-12 10:47:15瀏覽次數(shù):1137

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          產(chǎn)品簡(jiǎn)介
          介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

          電感: 
          線圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
            9         100KHz      98       9.4           25mH
            8         400KHz     138       11.4        4.87mH
            7         400KHz    202       16           0.99mH
            6           1MHz     196       13          252μH
            5           2MHz     198       8.7        49.8μH
            4         4.5MHz    231       7             10μH 
            3          12MHz      193     6.9         2.49μH
            2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
            1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH


          介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法


          一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述

          GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器,測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。 

          gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計(jì),無疑為高頻元器件的阻抗測(cè)量提供了*的解決方案,它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測(cè)工具,測(cè)量值更為精確,測(cè)量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測(cè)器件的品質(zhì),無須關(guān)注量程和換算單位。 
           
          主要技術(shù)特性  
          Q 值測(cè)量范圍  2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔  
          固有誤差  ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
          工作誤差  ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
          電感測(cè)量范圍  4.5nH ~ 140mH     電容直接測(cè)量范圍  1 ~ 200pF                主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ~ 220pF  主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 

          信號(hào)源頻率覆蓋范圍  100kHz ~ 160MHz  
          頻率分段 ( 虛擬 )  100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
          頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字  

          搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
          一 . 概述 

          BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性 

          平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選  

          極片間距可調(diào)范圍:≥15mm 

          2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm 

          3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 

          4.測(cè)微桿分辨率:0.001mm

           

           


          北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營(yíng)產(chǎn)品:絕緣強(qiáng)度耐電壓擊穿試驗(yàn)儀-高壓電橋法介電常數(shù)測(cè)試儀-高電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀 化工儀器網(wǎng) 設(shè)計(jì)制作,未經(jīng)允許翻錄必究.Copyright(C) http://facexiu.com, All rights reserved.

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