目錄:深圳市新瑪科技有限公司>>半導(dǎo)體C-V特性分析儀>>參數(shù)測(cè)試儀>> IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)PT-1224
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更新時(shí)間：2024-01-29 15:30:35瀏覽次數(shù)：1271評(píng)價(jià)
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,汽車,電氣 |
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IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)PT-1224特點(diǎn)：
1.1 原理簡(jiǎn)述
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過(guò)特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開(kāi)通，并測(cè)量過(guò)程中各 種動(dòng)態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異，是評(píng)估 FRD 和 IGBT 二十多種 動(dòng)態(tài)參數(shù)重要測(cè)量手段。同時(shí)也是功率元件驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗(yàn)證的測(cè)量平臺(tái)。
1.2 原理框圖
IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)PT-1224主要作用
1、測(cè)試對(duì)比不同 IGBT 的參數(shù)；
2、評(píng)估驅(qū)動(dòng)的功能和性能；
3、獲取 IGBT 在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適；
4、開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩；
5、評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量；
6、IGBT 關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩；
7、評(píng)估 IGBT 并聯(lián)的均流特性；
8、測(cè)量母排和系統(tǒng)的雜散電感。
9、可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝；如特殊封裝可 以定制開(kāi)發(fā)適配版。
電源范圍 | 0～1000VDC |
加熱范圍 | 室溫～200℃ |
測(cè)試電流 | 0～2400A |
負(fù)載電感 | 50uH\100uH\200uH\500uH （標(biāo)配 2 種） |
脈寬調(diào)制范圍 | 5～400us |
脈寬顯示屏 | 4 寸 |
通過(guò)此設(shè)備與示波器連接測(cè)試項(xiàng)目
開(kāi)通參數(shù) | 關(guān)斷參數(shù) | Frd 反向恢復(fù)參數(shù) |
開(kāi)通最大尖峰電流 Ic-peak max | 關(guān)斷最大尖峰電壓 Vce-peak max | 最大反向恢復(fù)電流 IRM |
開(kāi)通時(shí)間 Ton | 關(guān)斷時(shí)間 Toff | 反向恢復(fù)損耗 Erec |
開(kāi)通延遲 Td-on | 關(guān)斷延遲 Td-off | 反向恢復(fù)時(shí)間 Trr |
開(kāi)通電壓變化率 dv/dt-on | 關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off | 反向恢復(fù)電荷 Qrr |
開(kāi)通電流變化率 di/dt-on | 關(guān)斷電流變化率 di/dt-off | 反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak |
開(kāi)通電壓下降時(shí)間 tf-v-on | 關(guān)斷電壓上升時(shí)間 tr-v-off | 前沿電流變化率 di/dt-r |
開(kāi)通電流上升時(shí)間 tr-i-on | 關(guān)斷電流下降時(shí)間 tf-i-off | 后沿電流變化率 di/dt-f |
開(kāi)通損耗 Eon | Ic 拖尾電流值 It | 反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr |
Ic 拖尾時(shí)間 Tt | 最大反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak | |
關(guān)斷損耗 Eoff |
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