ZnCdTe/ZnS三元熒光量子點(diǎn)
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ZnCdTe/ZnS三元熒光量子點(diǎn)
Cd系量子點(diǎn)由于其量子產(chǎn)率,光譜調(diào)諧。在生物熒光,傳感,太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域有了的進(jìn)展,但是Cd元素的一直是限制其大規(guī)模應(yīng)用的瓶頸。
降低含Cd量子點(diǎn)的方法主要有兩種:包覆保護(hù)層和采用合金化。
二元CdTe量子點(diǎn)的制備技術(shù)以及包覆技術(shù)已較為,但是三元量子點(diǎn)的研究相對(duì)比較少,目前的制備技術(shù)大多比較復(fù)雜,較,不適合規(guī)?;?。
采用溶劑熱法,以巰基乙酸(TGA)作為穩(wěn)定劑,通過(guò)包覆與合金化相結(jié)合的手段,在溫下制備了量子產(chǎn)率,性能穩(wěn)定,發(fā)射波長(zhǎng)能夠覆蓋可見(jiàn)光區(qū)域的水溶性ZnCdTe量子點(diǎn)。
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