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瑞禧-摻鐵(Fe)MoSe2晶體;摻雜Co Bi2Se3晶體
西安瑞禧生物可以提供CdPS3 晶體、Co2Bi2Te5 磁性拓撲絕緣體、CoBi2Te4 磁性拓撲絕緣體、CoBi4Se7 磁性拓撲絕緣體、CoBi4Te7 磁性拓撲絕緣體、Cr2Ge2Te6 CrGeTe3 磁性拓撲絕緣體、Cr2S3晶體、Cr2Si2Te6、CrSiTe3 晶體、CrBi2Te4磁性拓撲絕緣體、CrBi4Te7 磁性拓撲絕緣體、CrI3 碘化鉻、CrPS4 晶體 磁性拓撲絕緣體、CrTe2晶體、FeCl3三氯化鐵晶體、FePS3 晶體、FePSe3 晶體、GaGeTe晶體、GaPS4晶體、GaSe 硒化鎵、GaTe晶體、GeBi2Te4晶體、GeBi4Te7粉體。
瑞禧-摻鐵(Fe)MoSe2晶體;摻雜Co Bi2Se3晶體
晶體：Magnetic semiconductor，紅外半導體，拓撲材料，熱電材料
表征方法：EDS，SEM，Raman 性質(zhì)分類:相變材料，金屬性層狀材料
禁帶寬度:0 eV
方法:CVT
剝離難易程度:易
保存注意事項:晶體穩(wěn)定，不需要保存
[單晶純度]:> 99.99%
[規(guī)格]：注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。
[包裝]：凈袋真空包裝
[傳導類型]：N型；半絕緣型
[拋向]：單拋或雙拋
[可用表面積] gt; 90%
InSiTe3晶體
MnBi2Se4 晶體
MnPS3 晶體
MnPSe3 晶體
MnSb2Te4 晶體
Mo0.95W0.05Se2晶體
MoS2 二硫化鉬
MoSe2 二硒化鉬
MoSSe 鉬硫硒
Nb2SiTe4晶體
Nb3GeTe6晶體
NbS2(2H) 硫化鈮
NbSe2 二硒化鈮
NbTe2 二碲化鈮 (1g)
NbTe2晶體
NbTe4晶體
Ni2Bi2Te5磁性拓撲絕緣體
Ni2SiTe4晶體
NiCoSe2晶體
NiI2 碘化鎳晶體
NiI3晶體，碘化鎳晶體
NiPS3 晶體
NiTe2晶體
NiTe晶體
PbSb2Te4晶體
PbSnS2 晶體
PdSe2 二硒化鈀
Sb2S3晶體
Sb2TeSe2晶體
Sb16Te3晶體
SnBi2Te4晶體
SnPSe3晶體
SnSe 硒化亞錫 晶體
SnSe2 二硒化錫
Ta2NiS5 晶體
TaTe2 碲化鉭（1g)
TiSe2 硒化鈦
V2NiSe4晶體
VI3 碘化釩晶體
VS2二硫化釩晶體
VSe2 硒化釩
WTaSe4 鎢鉭硒晶體
WTe2 碲化鎢
Zr5Te4晶體
ZrGeTe4晶體
ZrSe2 二硒化鋯
ZrTe3 拓撲絕緣體
摻釩(V)MoSe2晶體 MoVSe4
摻錸(Re)MoSe2晶體 MoReSe4
摻鈮(Nb)MoS2晶體 MoNbS4
摻鈮(Nb)MoSe2晶體 MoNbSe4
摻鉭(Ta)MoSe2晶體 MoTaSe4
摻鐵(Fe)MoSe2晶體
摻鎢(W)MoSe2晶體 MoWSe4
摻雜Co Bi2Se3晶體
Bi2O2Se
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