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瑞禧供應Cr2Ge2Te6/CrGeTe3磁性拓撲絕緣體
西安瑞禧生物可以提供SnS2 硫化錫、SnSe 硒化亞錫 晶體、SnSe2 二硒化錫、SnSe2 二硒化錫 藍寶石基底SnSe2薄膜、In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相、In2Te5晶體、In3SbTe2晶體、InBiSe3 晶體 摻銦 Bi2Se3 晶體、InBi晶體、Cu3SbS3晶體、Cu3Se2晶體、CuBi3PbS6晶體、CuCrP2S6 晶體、CuIn7Se11 晶體、In2GaBi2S6晶體、CuInP2Se6晶體、CuInS2晶體、CuS 晶體、Fe3GeTe2晶體、FeCl2晶體、InGaS3 晶體、InSb晶體、InSe 硒化銦 （β相）、InSiTe3晶體、MnBi2Se4 晶體。
瑞禧供應Cr2Ge2Te6/CrGeTe3磁性拓撲絕緣體
晶體：Magnetic semiconductor，紅外半導體，拓撲材料，熱電材料
表征方法：EDS，SEM，Raman 性質分類:相變材料，金屬性層狀材料
禁帶寬度:0 eV
方法:CVT
剝離難易程度:易
保存注意事項:晶體穩(wěn)定，不需要保存
[單晶純度]:> 99.99%
[規(guī)格]：注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。
[包裝]：凈袋真空包裝
[傳導類型]：N型；半絕緣型
[拋向]：單拋或雙拋
[可用表面積] gt; 90%
Cr2S3晶體
Cr2Si2Te6 CrSiTe3 晶體
CrBi2Te4磁性拓撲絕緣體
CrBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
CrI3 碘化鉻
CrTe2晶體
CuCrP2S6 晶體
CuIn7Se11 晶體
CuInP2S6晶體
CuInP2Se6晶體
CuInS2晶體
CuS 晶體
Fe3GeTe2晶體
FeCl2晶體
FeCl3三氯化鐵晶體
FePS3 晶體
FePSe3 晶體
GaGeTe晶體
GaPS4晶體
GaSe 硒化鎵
GaTe晶體
GeBi4Te7晶體
GePbS3 晶體
GeS 硫化鍺晶體
GeTe晶體
HfS2 硫化鉿
HfS3晶體
HfSe2 硒化鉿
HfTe2 碲化鉿晶體
In2P3S9晶體
In2P3Se9 晶體
In2Te5晶體
In3SbTe2晶體
InBiSe3 晶體 摻銦 Bi2Se3 晶體
InBi晶體
InGaS3 晶體
InSb晶體
InSe 硒化銦 （β相）
InSiTe3晶體
MnBi2Se4 晶體
MnBi4Se7 磁性拓撲絕緣體
MnBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
MnPS3 晶體
MnPSe3 晶體
MnSb2Te4 晶體
Mo0.95W0.05Se2晶體
MoS2 二硫化鉬
MoSe2 二硒化鉬
MoSSe 鉬硫硒
MoVSe4晶體
Nb2SiTe4晶體
Nb3GeTe6晶體
NbReS4晶體
NbS2(2H) 硫化鈮
NbSe2 二硒化鈮
NbTe2 二碲化鈮 (1g)
NbTe2晶體
NbTe4晶體
Ni2Bi2Te5磁性拓撲絕緣體
Ni2SiTe4晶體
NiCoSe2晶體
NiI2 碘化鎳晶體
NiI3晶體，碘化鎳晶體
NiPS3 晶體
NiTe2晶體
NiTe晶體
Pb2Bi2Se5晶體
PbBi4Te7晶體
PbSb2Te4晶體
PbSe晶體
PbSnS2 晶體
PbSnSe2 晶體
PbS晶體
PdSe2 二硒化鈀
ReS2 二硫化錸
Sb2S3晶體
Sb2Te2Se晶體
Sb2TeSe2晶體
Sb16Te3晶體
SiTe2晶體
SnBi2Te4晶體
SnBi4Te7晶體
SnPS3晶體
SnPSe3晶體
SnS 硫化亞錫 晶體
SnS2 硫化錫
SnSe 硒化亞錫 晶體
SnSe2 二硒化錫
SnTe晶體
Ta2NiS5 晶體
Ta2NiSe5 晶體
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溫馨提示：西安瑞禧生物供應產品用于科研，不能用于人體（YQ2021.5）
