MASnI3/MAPbI3鈣鈦礦薄膜-瑞禧
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MASnI3/MAPbI3鈣鈦礦薄膜-瑞禧
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低維鎢酸鉍基異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米材料 | (C4H9NH3)2(CH3NH3)3Pb4I13鈣鈦礦光電探測(cè)器 |
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氮摻雜碳包覆的子彈狀Cu9S5空心顆粒(Cu9S5@NC) | (AVA)2PbI4@MAPbI3鈣鈦礦材料 |
產(chǎn)品描述
MAPbI_3鈣鈦礦在(112)/(200)面的取向結(jié)晶,而非傳統(tǒng)的(110)/(200)面。沿(112)/(200)面結(jié)晶的鈣鈦礦薄膜表現(xiàn)出的光電性能,相應(yīng)太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率可達(dá)18.9%。發(fā)現(xiàn),隨著前軀體溶液中MAAc含量的增加,結(jié)晶取向?qū)⒂?110)/(200)面轉(zhuǎn)為(112)/(200)面。而且,(112)/(200)面的晶粒尺寸逐漸增大,當(dāng)MAAc含量增加到13%時(shí),晶粒尺寸甚5mm。
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