TGA-CdTe量子點(diǎn)

西安瑞禧量子點(diǎn)，提供結(jié)構(gòu)修飾，我公司有的團(tuán)隊(duì)，的產(chǎn)品科研實(shí)驗(yàn)，產(chǎn)量有，提供多種技術(shù)資料。

瑞禧產(chǎn)品列表：

巰基乙酸(TGA)修飾的殼核型CdTe/CdS量子點(diǎn)
TGA-CdTe/CdS QDs
碳化硅SiC量子點(diǎn)熒光材料
PMMA基底CdSe量子點(diǎn)
PbTe/CdTe量子點(diǎn)
透明質(zhì)酸-量子點(diǎn)(HA-QD)
聚己基噻吩/硒化鎘量子點(diǎn)
殼聚糖包覆的CdTe量子點(diǎn)
β-環(huán)糊精修飾的銀量子點(diǎn)
CD環(huán)糊精修飾CdTe量子點(diǎn)
ZnSe/SiO2半導(dǎo)體量子點(diǎn)
殼聚糖-CdSe/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)
TGA-CdTe量子點(diǎn)
CdS/ZnS-CdTe量子點(diǎn)
3-巰基丙酸包覆MPA-Mn/ZnS量子點(diǎn)QDs
InP/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)
PbS/CdS核殼結(jié)構(gòu)熒光量子點(diǎn)
CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)熒光量子點(diǎn)
硫族鉛化合物量子點(diǎn)
II-VI族手性半導(dǎo)體量子點(diǎn)
Zn/ZnS核殼量子點(diǎn)
多壁碳納米管-CdTe量子點(diǎn)復(fù)合材料
氨基修飾碳點(diǎn)(N-CDs)
α-Bi2 O3納米管/氮摻雜碳量子點(diǎn)
AgNPs-CdSe量子點(diǎn)
聚丙烯腈(PAN)負(fù)載碳量子點(diǎn)
MEH-PPV/PbS量子點(diǎn)復(fù)合材料
MO-PPV/ZnSe量子點(diǎn)復(fù)合材料
納米金負(fù)載碳量子點(diǎn)Au@cQDs
AgNPs/N-CDs納米銀負(fù)載碳量子點(diǎn)
石墨烯負(fù)載碳量子點(diǎn)復(fù)合材料
聚對(duì)苯乙炔MOPPV-ZnSe量子點(diǎn)復(fù)合材料
氮化碳/二硫化錫量子點(diǎn)復(fù)合材料
金納米星量子點(diǎn)復(fù)合熒光探針
聚四乙烯基吡啶復(fù)合型CdTe量子點(diǎn)
銀/碳量子點(diǎn)(Ag/CDs)復(fù)合材料
木質(zhì)素磺酸鈣-石墨烯復(fù)合量子點(diǎn)
SiO2復(fù)合CsPbI3鈣鈦礦量子點(diǎn)
AgInS2@ZnS量子點(diǎn)
谷胱甘肽@CdTe量子點(diǎn)
Zn3In2S6-CEA量子點(diǎn)熒光探針
三元黃銅礦CuGaS_2量子點(diǎn)
半導(dǎo)體聚合物聚量子點(diǎn)（PFOPdots）
QDs@PEI修飾熒光量子點(diǎn)
ZnO@GQDs核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)
CdTe@MPA核殼量子點(diǎn)熒光探針
QDs@MOFs量子點(diǎn)金屬有機(jī)框架復(fù)合材料
Ag@CdSe-rGO核殼材料
水溶性CdTe@PVP量子點(diǎn)
正電荷水相AgInS2@PEI量子點(diǎn)
CdTe@MOFs/CdTeQDs/Ab2生物探針
聚多巴胺納米微球負(fù)載石墨烯量子點(diǎn)PDANS@Ag/GQDs
CCG-CdSe石墨烯量子點(diǎn)復(fù)合物
氧化石墨烯-硒化鎘(GO-CdSe)納米復(fù)合材料
InP/ZnS熒光量子點(diǎn)
Cu摻雜的InP@ZnSe+ZnS核殼量子點(diǎn)
無(wú)機(jī)鈣鈦礦CsPbX3量子點(diǎn)
CdHgTe合金量子點(diǎn)
InP@ZnSeS熒光量子點(diǎn)
InP/ZnSe/ZnS核殼型熒光量子點(diǎn)
ZnSe/InP/ZnS三核殼熒光量子點(diǎn)
CdSe/ZnSe核/殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)
三辛基氧化膦TOPO包覆CdSe量子點(diǎn)
CdSe-脂質(zhì)體復(fù)合體
脂溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)脂質(zhì)體復(fù)合物
CdSe量子點(diǎn)/聚酰胺-胺樹形分子納米復(fù)合材料
PAMAM@ CdSe量子點(diǎn)復(fù)合材料
修飾脂質(zhì)體包裹CdTe量子點(diǎn)
硫醇配位CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)
CdSe量子點(diǎn)修飾物DSPE-PAA
PLLA-SS-PLL 聚乳酸-雙硫鍵-聚賴氨酸
卟啉功能化的量子點(diǎn)QDs
RGD-CdTe多肽修飾量子點(diǎn)
核糖核酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)(CdTe-RQDs)
二氫卟啉e6修飾熒光量子點(diǎn)
BSA-Ce6牛血清白蛋白修飾二氫卟啉
USPIO-cy5.5-cRGD
RGD@BBN-脂質(zhì)體（量子點(diǎn)）
水溶性CuInS2-ZnS-AFP量子點(diǎn)
FA-QDs-FUA納米復(fù)合材料
聚甲基丙烯酸環(huán)氧丙酯-g-聚乙二醇聚合物(PGMA-g-PEG)
PGMA-PEG-FA
CdSe/Zns核殼量子點(diǎn)修飾FA
DOX阿霉素修飾CdSe/Zns核殼量子點(diǎn)
P3HBP4HB-DOX偶聯(lián)物
多孔道二氧化硅包覆Fe3O4-DOX偶聯(lián)物
InAs/GaAs量子點(diǎn)材料
DOX-Cdots阿霉素修飾碳量子點(diǎn)
巰基乙胺CA-CdTe量子點(diǎn)
銅銦硫(CuInS2)量子點(diǎn)
紅色CdSeS/CdS/ZnS核殼量子點(diǎn)
十二胺功能化石墨烯量子點(diǎn)(PEHA-GQD-DA)
蛋氨酸功能化石墨烯量子點(diǎn)
DOX/GQDs-Gd釓修飾石墨烯量子點(diǎn)載阿霉素
修飾石墨烯量子點(diǎn)
ZnS量子點(diǎn)-BSA納米復(fù)合材料
谷胱甘肽 (GSH)修飾的CdTe/CdS量子點(diǎn)

TGA-CdTe量子點(diǎn)

 ，由于零維量子點(diǎn)材料的量子效應(yīng)，使得InAs/GaAs量子點(diǎn)在量子器件方面的應(yīng)用了大批研究人員的。MOCVD和MBE的使得InAs/GaAs量子點(diǎn)制備量子器件成為可能，由于量子器件的性能主要依賴于量子點(diǎn)的密度、尺寸和均勻性，因此獲得密度并且均勻性好的量子點(diǎn)的MOCVD工藝顯得。為了得到大小*，分布均勻的密度InAs/GaAs量子點(diǎn)。

 西安瑞禧生物供應(yīng)量子點(diǎn)及定制服務(wù)，我們還可以做的化學(xué)修飾和蛋白修飾，、、、、！在線詢問(wèn)?。╖LF）