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多孔硅上Ge量子點(diǎn)-光學(xué)特性
西安瑞禧提供修飾性熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品，，、、是一家供應(yīng)科研試劑產(chǎn)品的生物科技公司，常規(guī)修飾的熒光量子點(diǎn)類產(chǎn)品均有，我們提供的產(chǎn)品，如有，可咨詢。
瑞禧供應(yīng)定制產(chǎn)品目錄：
| 碳量子點(diǎn)(Carbon dots,CDs) | BODIPY@GQDs |
| 水溶性CdTe/CdS近紅外量子點(diǎn) | GQDs@GSH谷胱甘肽修飾石墨烯量子點(diǎn) |
| 多巴胺功能化的碳量子點(diǎn)(dopa-CQDs) | GQDs-COOH 羧基修飾石墨烯量子點(diǎn) |
| AgInZnS-GO水溶性量子點(diǎn) | GQDs@CS殼聚糖修飾石墨烯量子點(diǎn) |
| CNTs-PTh-CdS納米復(fù)合材料 | 二氧化硅修飾石墨烯量子點(diǎn)SiO2@GQDs |
| 碳納米管-聚噻吩(CNT-PTh) | GQDs-PEI聚乙烯亞胺修飾石墨烯量子點(diǎn) |
| 聚合聚苯胺(PANI)修飾碳納米管 | NiO@Co3O4@GQDs石墨烯量子點(diǎn) |
多孔硅上Ge量子點(diǎn)-光學(xué)特性文獻(xiàn)：
采用量子尺寸的多孔硅作為襯底 ,利用區(qū)域優(yōu)先成核在多孔硅表面上地了 Ge量子點(diǎn) .由于量子限制效應(yīng)鍺的 PL 譜發(fā)生了的藍(lán)移 ,計(jì)算表明在傅里葉紅外光譜中觀察到的中紅外 (5— 6 μm)吸收峰是源于量子點(diǎn)中的亞能帶躍遷 (兩個(gè)重空穴能級(jí)之間的躍遷 ) ,這為 Ge量子點(diǎn)紅外光探測(cè)器的應(yīng)用提供了理論基礎(chǔ)
西安瑞禧生物科技有限責(zé)任公司提供其它產(chǎn)品列表：
| CQDs@MIL-125碳量子點(diǎn)復(fù)合金屬有機(jī)框架 |
| CdSe@CdS CQDs核殼結(jié)構(gòu)碳量子點(diǎn) |
| 氮摻雜碳量子點(diǎn)(N-CQDs) |
| MWNTs@CQDs碳納米管負(fù)載碳量子點(diǎn) |
| ZnS/CQDs碳量子點(diǎn)粒子 |
| Pd-Ag@CQD鉑金碳量子點(diǎn)發(fā)光顆粒 |
| Gd@CQDs釓修飾碳量子點(diǎn) |
| Au@CQDs金負(fù)載碳量子點(diǎn)納米顆粒 |
| MnO2@CQDs二氧化錳修飾碳量子點(diǎn) |
| Fe3O4@CQDS四氧化三鐵負(fù)載碳量子點(diǎn) |
| FA-GdN@CQDs-MWCNTs |
| HA@CQDs透明質(zhì)酸修飾碳量子點(diǎn) |
| 羅丹明B修飾的碳量子點(diǎn)(RhB@CQDs) |
| GA@O-CQDs石墨烯碳量子點(diǎn) |
| CQDs@NiCoP |
| CQDs@BaSO4 |
| CQDs@PEG聚乙二醇修飾碳量子點(diǎn) |
| CuS@CQDs硫化銅碳量子點(diǎn) |
| 鏈霉親和素修飾熒光量子點(diǎn)SA@QDs |
| 量子點(diǎn)標(biāo)記天花粉蛋白. |
| 雌三醇-復(fù)合物(E3-Biotin) |
| 多孔介孔硅包裹熒光量子點(diǎn) |
| 水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)羧基活化 |
| 多孔硅上Ge量子點(diǎn) |
| 雙層Ge/Si量子點(diǎn) |
| 硅基鍺量子點(diǎn)復(fù)合結(jié)構(gòu)材料 |
| 介孔硅包裹CdSe/ZnS量子點(diǎn) |
| CdSe/ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn) |
| 硅量子點(diǎn)/聚氨酯功能復(fù)合材料 |
| 硅質(zhì)半導(dǎo)體量子點(diǎn) |
| 納米二氧化鈦—石墨烯量子點(diǎn)復(fù)合材料 |
| GA-PEG-SS-PCL |
| 石墨烯-硒化物量子點(diǎn)復(fù)合物 |
| CCG-ZnSe石墨烯量子點(diǎn)復(fù)合物 |
| CCG- PbSe石墨烯量子點(diǎn)復(fù)合物 |
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