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晶體結(jié)構(gòu)即晶體的微觀結(jié)構(gòu),是指晶體中實(shí)際質(zhì)點(diǎn)(原子、離子或分子)的具體排列情況。自然界存在的固態(tài)物質(zhì)可分為晶體和非晶體兩大類(lèi),固態(tài)的金屬與合金大都是晶體。晶體與非晶體的本質(zhì)差別在于組成晶體的原子、離子、分子等質(zhì)點(diǎn)是規(guī)則排列的(長(zhǎng)程序),而非晶體中這些質(zhì)點(diǎn)除與其相近外,基本上無(wú)規(guī)則地堆積在一起(短程序)。金屬及合金在大多數(shù)情況下都以結(jié)晶狀態(tài)使用。晶體結(jié)構(gòu)是決定固態(tài)金屬的物理、化學(xué)和力學(xué)性能的基本因素之一。
晶體是各向異性的均勻物體。的晶體,外觀上往往呈現(xiàn)某種對(duì)稱(chēng)性。從微觀來(lái)看,組成晶體的原子在空間呈重復(fù)排列。即以晶體中的原子或其集合為基點(diǎn),在空間中三個(gè)不共面的方向上,各按一定的點(diǎn)陣,不斷重復(fù)出現(xiàn)。如從重復(fù)出現(xiàn)的每個(gè)基元中各取某一相當(dāng)點(diǎn),則這些點(diǎn)合在一起形成一個(gè)空間點(diǎn)陣的一部分。確切地說(shuō),點(diǎn)陣是一組按連接其中兩點(diǎn)的矢量進(jìn)行平移后而能復(fù)原的點(diǎn)的重復(fù)排列。
晶體大?。嚎啥ㄖ?br />晶體:Magnetic semiconductor,紅外半導(dǎo)體,拓?fù)洳牧?,熱電材?br />表征方法:EDS,SEM,Raman
bandgap:0.4 eV
規(guī)格:注:可按客戶(hù)需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。
包裝:凈袋真空包裝
傳導(dǎo)類(lèi)型:N型;半絕緣型
晶體方式: CVT 化學(xué)氣相傳輸法
拋向:?jiǎn)螔伝螂p拋
可用表面積:> 90%
瑞禧生物科研定制二維晶體-BiOCl晶體 氯氧化鉍晶體、BiSe 晶體、BiTe晶體、Bi單晶 Bi晶體 鉍、CdI2晶體、CdPS3 晶體、Co2Bi2Te5 磁性拓?fù)浣^緣體、CoBi2Te4 磁性拓?fù)浣^緣體、CoBi4Se7 磁性拓?fù)浣^緣體、CoBi4Te7 磁性拓?fù)浣^緣體、Cr2Ge2Te6 CrGeTe3 磁性拓?fù)浣^緣體、Cr2S3晶體、Cr2Si2Te6 CrSiTe3 晶體、CrBi2Te4磁性拓?fù)浣^緣體、CrBi4Te7 磁性拓?fù)浣^緣體、CrI3 碘化鉻、CrPS4 晶體 磁性拓?fù)浣^緣體、CrTe2晶體、Cu3SbS3晶體、Cu3Se2晶體、CuBi3PbS6晶體、CuCrP2S6 晶體、CuIn7Se11 晶體、CuInP2S6晶體、CuInP2Se6晶體、CuInS2晶體、HfS2 硫化鉿、HfS3晶體、HfSe2 硒化鉿、HfTe2 碲化鉿晶體、HfTe5晶體、HgPSe3晶體、In2GaBi2S6晶體、In2P3S9晶體、In2P3Se9 晶體、In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相、In2Te5晶體、In3SbTe2晶體、InBiSe3 晶體 摻銦 Bi2Se3 晶體、InBi晶體、InGaS3 晶體、InSb晶體、InSe 硒化銦 (β相)、InSiTe3晶體、MnBi2Se4 晶體、MnBi4Se7 磁性拓?fù)浣^緣體、MnBi4Te7 磁性拓?fù)浣^緣體、MnPS3 晶體、MnPSe3 晶體、MnSb2Te4 晶體、Mo0.75W0.25Se2晶體、MoTe2 晶體2H 半導(dǎo)體相、MoVSe4晶體、MoWS4 鉬鎢硫、MoWSe4 (WMoSe4) 鉬鎢硒、Nb2SiTe4晶體、Nb3GeTe6晶體、NbReS4晶體、NbS2(2H) 硫化鈮、NbSe2 二硒化鈮、NbTe2 二碲化鈮 (1g)、NbTe2晶體、NbTe4晶體、Ta2NiS5 晶體、Ta2NiSe5 晶體、TaCo2Te2晶體。
來(lái)自小編瑞禧YQ2021.5
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