快速自動(dòng)掃描系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
快速自動(dòng)掃描系統(tǒng)MDPinline ingot系統(tǒng)是可用于多晶硅電氣特性的快的測(cè)量工具。它被設(shè)計(jì)用于高產(chǎn)量生制造工廠的研究用途。每塊磚都可以在不到兩分鐘的時(shí)間里...
少子壽命測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
少子壽命測(cè)試儀MDPinline是一個(gè)用于定量測(cè)量少子壽命的緊湊型高速生產(chǎn)集成自動(dòng)掃描系統(tǒng)。當(dāng)晶片通過傳送裝置移動(dòng)到儀器下面時(shí)，一片晶片的形貌測(cè)量在一秒鐘的時(shí)間...
薄膜反射和透射的在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
薄膜反射和透射的在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)RT inline 薄膜測(cè)量系統(tǒng)是為沉積過程的在線質(zhì)量控制而設(shè)計(jì)的。該方法基于SENTECH著名的薄膜厚度探針FTPadv，用于測(cè)量...
自動(dòng)掃描薄膜測(cè)量?jī)x器 參考價(jià)：面議
自動(dòng)掃描薄膜測(cè)量?jī)x器SenSol自動(dòng)掃描儀器設(shè)計(jì)用于玻璃薄膜光伏制造中薄膜性能的質(zhì)量控制的在線測(cè)量。大量的傳感器可以集成到SenSol傳感器平臺(tái)中。這也允許特定...
激光橢偏儀 參考價(jià)：面議
激光橢偏儀SE 800 PV是分析結(jié)晶和多晶硅太陽能電池防反射膜的理想工具?？梢詼y(cè)量單層薄膜(SiNx、SiO2、TiO2、Al2O3)和多層疊層膜(SiNX/...
激光橢偏儀 參考價(jià)：面議
激光橢偏儀多角度SE 400adv PV在632.8nm的氦氖激光波長(zhǎng)下，在紋理化的單晶和多晶硅片上提供防反射單膜的膜厚和折射率。可更換的晶片載片器允許對(duì)多晶晶...
晶體硅太陽電池 參考價(jià)：面議
晶體硅太陽電池SENperc PV是為PERC太陽能電池制造質(zhì)量控制而設(shè)計(jì)的。它測(cè)量SiO2、Al2O3和SiNX單層膜和疊層膜，這些單層膜和疊層膜用于PERC...
綜合薄膜測(cè)量軟件 參考價(jià)：面議
綜合薄膜測(cè)量軟件集成的色散模型用于描述所有常用材料的光學(xué)特性。利用快速擬合算法，通過改變模型參數(shù)將計(jì)算得到的光譜調(diào)整到實(shí)測(cè)光譜。
臺(tái)式薄膜探針反射儀 參考價(jià)：面議
臺(tái)式薄膜探針反射儀二十年來，SENTECH已經(jīng)成功地銷售了用于各種應(yīng)用的薄膜厚度探針FTPadv。這種臺(tái)式反射儀的特點(diǎn)是不管在低溫或高溫下，在工業(yè)或研發(fā)環(huán)境中，...
反射膜厚儀 參考價(jià)：面議
反射膜厚儀我們的反射儀的特點(diǎn)是通過樣品的高度和傾斜調(diào)整進(jìn)行準(zhǔn)確的單光束反射率測(cè)量，光學(xué)布局的高光導(dǎo)允許對(duì)n和k進(jìn)行重復(fù)測(cè)量，對(duì)粗糙表面進(jìn)行測(cè)量以及對(duì)非常薄的薄膜...
橢偏反射儀 參考價(jià)：面議
橢偏反射儀性能優(yōu)異的多角度手動(dòng)角度計(jì)和角度精度*的激光橢偏儀允許測(cè)量單層薄膜和層疊膜的折射率、消光系數(shù)和膜厚。
激光橢偏儀 參考價(jià)：面議
激光橢偏儀SE 400adv可用于從可選擇的、應(yīng)用特定的入射角度表征單層薄膜和基片。自動(dòng)準(zhǔn)直透鏡確保在大多數(shù)平坦反射表面的吸收或透明襯底上進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。多角度測(cè)...
光譜橢偏儀 參考價(jià)：面議
光譜橢偏儀我們的自動(dòng)掃描的選項(xiàng)具有預(yù)定義或用戶定義的模式、廣泛的統(tǒng)計(jì)以及數(shù)據(jù)的圖形顯示，如2D顏色、灰度、輪廓、+/-偏離平均值和3D繪圖。
光譜橢偏儀 參考價(jià)：面議
光譜橢偏儀SENDURO® 所有的全自動(dòng)光譜橢偏免除了用戶根據(jù)高度和傾斜度手動(dòng)地對(duì)準(zhǔn)樣品的麻煩，這對(duì)于高精度和可重復(fù)的光譜橢偏是必要的。該的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)傳...
光譜橢偏儀 參考價(jià)：面議
光譜橢偏儀SENDIRA用于測(cè)量薄膜厚度，折射率，消光系數(shù)以及體材料，單層和多層堆疊膜的相關(guān)特性。特別是覆蓋層下面的層在可見范圍內(nèi)是不透明的，現(xiàn)在也可以進(jìn)行測(cè)量...
光譜橢偏儀 參考價(jià)：面議
光譜橢偏儀SENpro具有操作簡(jiǎn)單，測(cè)量速度快，能對(duì)不同入射角的橢偏測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行組合分析等特點(diǎn)。光譜范圍為370到1050 nm。SENpro的光譜范圍與精密的...
光譜橢偏儀 參考價(jià)：面議
光譜橢偏儀為了獲得測(cè)量結(jié)果，在數(shù)據(jù)采集過程中沒有光學(xué)器件運(yùn)動(dòng)。步進(jìn)掃描分析器(SSA)原理是SENresearch 4.0光譜橢偏儀的一個(gè)特性。通過創(chuàng)新的雙補(bǔ)償...
集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)三到六個(gè)端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機(jī)、RIE刻蝕機(jī)、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備，以滿足研發(fā)的要...
ALD實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)儀RTM 參考價(jià)：面議
ALD實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)儀RTM使用單一ALD循環(huán)可快速和簡(jiǎn)易地開發(fā)和優(yōu)化ALD工藝。ALD實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)儀顯示了高達(dá)40ms分辨率的吸附和解吸過程。顯著節(jié)省了研發(fā)時(shí)間，襯底，...
原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
原子層沉積設(shè)備：真遠(yuǎn)程等離子體源能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子...
PECVD等離子沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
PECVD等離子沉積設(shè)備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)計(jì)和直接載...
帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
帶預(yù)真空室的化學(xué)氣相沉積設(shè)備PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣...
等離子沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
等離子沉積設(shè)備低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應(yīng)力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。
RIE等離子刻蝕機(jī) 參考價(jià)：面議
RIE等離子刻蝕機(jī)我們的等離子蝕刻設(shè)備包括用功能強(qiáng)大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數(shù)窗口，工藝窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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