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更新時間:2017-12-18 18:11:48瀏覽次數:648
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HYDAC傳感器常年有現(xiàn)貨
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壓力傳感器的分為四個階段:
1發(fā)明階段(1945-1960年)
這個階段主要是以1947年雙極性晶體管的發(fā)明為標志。此后,半導體材料的這一特性得到較廣泛應用。史密斯(C.S.Smith)與1945發(fā)現(xiàn)了硅與鍺的壓阻效應,即當有外力作用于半導體材料時,其電阻將明顯發(fā)生變化。依據此原理制成的壓力傳感器是把應變電阻片粘在金屬薄膜上,即將力信號轉化為電信號進行測量。此階段zui小尺寸大約為1cm。
2發(fā)展階段(1960-1970年)
隨著硅擴散技術的發(fā)展,技術人員在硅的(001)或(110)晶面選擇合適的晶向直接把應變電阻擴散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成較薄的硅彈性膜片,稱為硅杯。這種形式的硅杯傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、穩(wěn)定性好、成本低、便于集成化的優(yōu)點,實現(xiàn)了金屬-硅共晶體,為商業(yè)化發(fā)展提供了可能。
3商業(yè)化階段(1970-1980年)
在硅杯擴散理論的基礎上應用了硅的各向異性的腐蝕技術,擴散硅傳感器其加工工藝以硅的各項異性腐蝕技術為主,發(fā)展成為可以自動控制硅膜厚度的硅各向異性加工技術,主要有V形槽法、濃硼自動中止法、陽極氧化法自動中止法和微機控制自動中止法。由于可以在多個表面同時進行腐蝕,數千個硅壓力膜可以同時生產,實現(xiàn)了集成化的工廠加工模式,成本進一步降低。
4微機械加工階段(1980年-)
上世紀末出現(xiàn)的納米技術,使得微機械加工工藝成為可能。通過微機械加工工藝可以由計算機控制加工出結構型的壓力傳感器,其線度可以控制在微米級范圍內。利用這一技術可以加工、蝕刻微米級的溝、條、膜,使得壓力傳感器進入了微米階段。
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