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          FTIR920-二氧化硅的紅外光譜測(cè)定
          • FTIR920-二氧化硅的紅外光譜測(cè)定
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          貨物所在地:天津天津市

          地: 天津

          更新時(shí)間:2024-07-09 21:00:06

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          在電力、煤炭等行業(yè)生產(chǎn)環(huán)境中,粉塵中游離二氧化硅含量較高,粉塵的分散度也比較高,即多為呼吸性粉塵,對(duì)作業(yè)人員的危害較大。因此,加強(qiáng)對(duì)粉塵中游離二氧化硅含量的檢測(cè)是一件非常重要和緊迫的工作。以往檢測(cè)均采用“焦磷酸重量法",該方法存在操作步驟復(fù)雜、使用試劑種類繁多、檢測(cè)周期長(zhǎng)、準(zhǔn)確性差、試驗(yàn)室條件要求苛刻等一系列問(wèn)題,難以滿足現(xiàn)場(chǎng)批量檢測(cè)的要求。二氧化硅的紅外光譜測(cè)定,提高了檢測(cè)的準(zhǔn)確性,實(shí)現(xiàn)批量檢測(cè)

          二氧化硅的紅外光譜測(cè)定

          在電力、煤炭等行業(yè)生產(chǎn)環(huán)境中,粉塵中游離二氧化硅含量較高,粉塵的分散度也比較高,即多為呼吸性粉塵,因此對(duì)作業(yè)人員的危害較大,主要包括鼻炎、咽炎、氣管炎、支氣管炎等呼吸系統(tǒng)疾病。因此,加強(qiáng)對(duì)粉塵中游離二氧化硅含量的檢測(cè)是一件非常重要和緊迫的工作。以往檢測(cè)均采用“焦磷酸重量法",該方法存在操作步驟復(fù)雜、使用試劑種類繁多、檢測(cè)周期長(zhǎng)、準(zhǔn)確性差、試驗(yàn)室條件要求苛刻等一系列問(wèn)題,難以滿足現(xiàn)場(chǎng)批量檢測(cè)的要求。為了提高檢測(cè)的準(zhǔn)確性,實(shí)現(xiàn)批量檢測(cè)的目的,二氧化硅的紅外光譜測(cè)定,可選用FTIR920型傅立葉變換紅外光譜儀來(lái)檢測(cè)粉塵中游離二氧化硅含量。

          二氧化硅的紅外光譜測(cè)定 檢測(cè)原理:

          α-石英在紅外光譜中于 12.5μm(800cm-1)、12.8μm(780cm-1)及 14.4(694cm-1)μm處出現(xiàn)特異性強(qiáng)的吸收帶,在一定范圍內(nèi),其吸光度值與α-石英質(zhì)量成線性關(guān)系。通過(guò)測(cè)量吸光度,進(jìn)行定量測(cè)定。

          二氧化硅的紅外光譜測(cè)定 儀器配置:

          FTIR920傅立葉變換紅外光譜儀
          FW-4A粉末壓片機(jī)
          HF-2壓片膜具
          HF-5藥片架
          HW-6瑪瑙研缽
          100g/制樣粉末(光譜純)
          HW-3紅外烘干箱









          二氧化硅的紅外光譜測(cè)定 制樣準(zhǔn)備:

          1. 瓷坩堝和坩堝鉗;

          2. 箱式電阻爐或低溫灰化爐;

          3. 十萬(wàn)分之一天平;

          4. 200目過(guò)濾篩;

          5. 濾紙、稱量紙 若干;

          6. 無(wú)水乙醇;

          7. 手套、脫脂棉、小藥勺、玻璃取樣瓶;

          8. 游離二氧化硅標(biāo)準(zhǔn)品(純度高于95%);

          9. 采集的粉塵樣品。樣品的采集:根據(jù)測(cè)定目的,樣品的采集方法參見(jiàn) GBZ 159 和 GBZ/T 192.2 或 GBZ/T 192.1,濾膜上采集的粉塵量大于 0.1mg 時(shí),可直接用于本法測(cè)定游離二氧化硅含量。

          二氧化硅的紅外光譜測(cè)定 測(cè)定:

          1、樣品處理

          準(zhǔn)確稱量采有粉塵的濾膜上粉塵的質(zhì)量(G)。然后將受塵面向內(nèi)對(duì)折 3 次,放在瓷坩堝內(nèi),置于低溫灰化爐或電阻爐(小于 600℃)內(nèi)灰化,冷卻后,放入干燥器內(nèi)待用。稱取 250mg 制樣粉末和灰化后的粉塵樣品一起放入瑪瑙乳缽中研磨混勻后,連同壓片模具一起放入干燥箱(110℃±5℃)中10min。將干燥后的混合樣品置于壓片模具中,加壓25MPa,持續(xù) 3min,制備出的錠片作為測(cè)定樣品。同時(shí),取空白濾膜一張,同樣處理,作為空白對(duì)照樣品。

          2、石英標(biāo)準(zhǔn)曲線的繪制

          精確稱取不同質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)α-石英塵(0.01mg ~1.00mg),分別加入250mg 制樣粉末,置于瑪瑙乳缽中充分研磨均勻,按上述樣品制備方法做出透明的錠片。將不同質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)石英錠片置于樣品室光路中進(jìn)行掃描,紅外軟件以 X 軸橫坐標(biāo)記錄 1000cm-1~600cm-1 的譜圖,在 900cm-1 處校正零點(diǎn)和 100%,以 Y 軸縱坐標(biāo)表示吸光度。

          以 800cm-1、780cm-1 及 694cm-1 三處的吸光度值為縱坐標(biāo),以石英質(zhì)量(mg)為橫坐標(biāo),繪制三條不同波長(zhǎng)的α-石英標(biāo)準(zhǔn)曲線,并求出標(biāo)準(zhǔn)曲線的回歸方程式。在無(wú)干擾的情況下,一般選用 800 cm-1標(biāo)準(zhǔn)曲線進(jìn)行定量分析。

          3、樣品測(cè)定

          分別將樣品錠片與空白對(duì)照樣品錠片置于樣品室光路中進(jìn)行掃描,記錄800cm-1(或 694cm-1)處的吸光度值,重復(fù)掃描測(cè)定 3 次,測(cè)定樣品的吸光度均值減去空白對(duì)照樣品的吸光度均值后,由α-石英標(biāo)準(zhǔn)曲線得樣品中游離二氧化硅的質(zhì)量(m)。

          二氧化硅的紅外光譜測(cè)定 計(jì)算

          按公式計(jì)算粉塵中游離二氧化硅的含量:SiO2(F)= m/G× 100

          公式中:

          SiO2(F)——粉塵中游離二氧化硅(α-石英)的含量,%;

          m ——測(cè)得的粉塵樣品中游離二氧化硅的質(zhì)量,mg;

          G ——粉塵樣品質(zhì)量,mg。

          二氧化硅的紅外光譜測(cè)定 注意事項(xiàng)

          1、本法的α-石英檢出量為 0.01mg;相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)差(RSD)為 0.64%~1.41%。

          2、粉塵粒度大小對(duì)測(cè)定結(jié)果有一定影響,因此,樣品和制作標(biāo)準(zhǔn)曲線的石英塵應(yīng)充分研磨,使其粒度小于 5μm 者占 95%以上,方可進(jìn)行分析測(cè)定。

          3、灰化溫度對(duì)煤礦塵樣品定量結(jié)果有一定影響,若煤塵樣品中含有大量高嶺土成分,在高于 600℃灰化時(shí)發(fā)生分解,于 800cm-1 附近產(chǎn)生干擾,如灰化溫度小于 600℃時(shí),可消除此干擾帶。

          4、在粉塵中若含有粘土、云母、閃石、長(zhǎng)石等成分時(shí),可在 800cm-1 附近產(chǎn)生干擾,則可用 694cm-1 的標(biāo)準(zhǔn)曲線進(jìn)行定量分析。

          5、為降低測(cè)量的隨機(jī)誤差,實(shí)驗(yàn)室溫度應(yīng)控制在 18℃~24℃,相對(duì)濕度小于 50%為宜。制備石英標(biāo)準(zhǔn)曲線樣品的分析條件應(yīng)與被測(cè)樣品的條件一致,以減少誤差。




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