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深能級瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征

深能級瞬態(tài)譜儀（DLTS）
    深能級瞬態(tài)譜（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有*檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導(dǎo)體材料中摻雜濟(jì)濃度的萬分之一)的實(shí)驗(yàn)方法，能檢測半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。集成多種全自動(dòng)的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。
    Semetrol DLTS集成多種自動(dòng)的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領(lǐng)域中，分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。該儀器測量界面態(tài)速度快，精度高，是生產(chǎn)和科研中可廣為應(yīng)用的測試技術(shù)．

主要特點(diǎn) :
• 自動(dòng)連線檢測；
• 自動(dòng)電容補(bǔ)償功能；
• 探測靈敏度高
• 瞬態(tài)電流測量；
• 傅里葉轉(zhuǎn)化功能；
• 深能級瞬態(tài)譜分析；
   
應(yīng)用領(lǐng)域 :
•檢測Si、ZnO、GaN等半導(dǎo)體材料中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。



深能級瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征

Semetrol DLTS系統(tǒng)配置:
- 脈沖發(fā)生器
電壓范圍： ±20.4 V (±102 V opt.)
脈沖寬度：1 µs - 1000 s
- 電容測量
高頻信號(hào)100 mV @ 1 MHz (20 mV 可選)
電容范圍 [pF] 3, 30, 3000 3000 (自動(dòng)或手動(dòng))
靈敏度 0.01 fF
- 電壓測量：
范圍 ±10 V
靈敏度 < 1 µV

溫度范圍：30K~450K
電阻范圍：0.1 mOhm - 10 GOhm



多種測量模式：
  C-DLTS（電容模式）
  CC-DLTS （定電容模式）
  I-DLTS （電流模式）
  DD-DLTS （雙關(guān)聯(lián)模式）
  Zerbst-DLTS （Zerbst模式）
  O-DLTS （光激發(fā)模式）
  FET-Analysis （FET分析）
  MOS-Analysis （MOS分析）
  ITS (等溫瞬態(tài)譜)
  Trap profiling
  CCSM（俘獲截面測量）
  I/V,I/V(T) （查理森Plot分析）
  C/V, C/V(T)
  TSC/TSCAP
  PITS (光子誘導(dǎo)瞬態(tài)譜)
  DLOS (特殊系統(tǒng)）