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          目錄:科睿設(shè)備有限公司>>鍍膜設(shè)備>> 原子層沉積鍍膜系統(tǒng)

          原子層沉積鍍膜系統(tǒng)
          • 原子層沉積鍍膜系統(tǒng)
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          參考價(jià) 面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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          • 廠商性質(zhì) 代理商
          • 所在地 上海市
          屬性

          應(yīng)用領(lǐng)域:電子,電氣,綜合

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          更新時(shí)間:2024-08-27 11:41:40瀏覽次數(shù):4496評(píng)價(jià)

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          應(yīng)用領(lǐng)域 電子,電氣,綜合
          原子層沉積鍍膜系統(tǒng)1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積);

          2.PEALD (等離子增強(qiáng)原子層沉積);

          3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積);

          原子層沉積鍍膜系統(tǒng)

          原子層沉積鍍膜系統(tǒng)(Atomic Layer Deposition System,ALD)

          產(chǎn)地:美國(guó)


          主要產(chǎn)品系列:

          1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積);

          2.PEALD (等離子增強(qiáng)原子層沉積);

          3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積);


          儀器簡(jiǎn)介:

          原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD),也稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子層化學(xué)氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。

          原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源,化學(xué)吸附至表面飽和時(shí)自動(dòng)終止,適當(dāng)?shù)倪^(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具。

          ALD的優(yōu)點(diǎn)包括:

          1.  可以通過(guò)控制反應(yīng)周期數(shù)精確控制薄膜的厚度,從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜;

          2.  由于前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜;

          3.  可生成*的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜,作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的涂層;

          4.  可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物;

          5.  薄膜生長(zhǎng)可在低溫下進(jìn)行(室溫到400度以下);

          6.  可廣泛適用于各種形狀的襯底;

          7.  原子層沉積生長(zhǎng)的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件,生長(zhǎng)的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散勢(shì)壘。


          技術(shù)參數(shù):

          基片尺寸:6英寸、8英寸、12英寸;

          加熱溫度:25℃—400℃(可選配更高);

          均勻性: < 2%;

          前驅(qū)體數(shù):4路(可選配6路);

          兼容性: 可兼容100級(jí)超凈室;

          尺寸:950mm x 700mm;

          ALD及PE-ALD技術(shù);


          原子層沉積ALD的應(yīng)用包括:

          1)     High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);

          2)     導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN);

          3)     金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);

          4)     催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);

          5)     納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material);

          6)     生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);

          7)     ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);

          8)     壓電層 (ZnO, AlN, ZnS);

          9)     透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);

          10)    紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);

          11)    OLED鈍化層 (Al2O3);

          12)    光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

          13)    防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);

          14)    電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

          15)    工藝層如蝕刻?hào)艡?、離子擴(kuò)散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);

          16)    光學(xué)應(yīng)用如太陽(yáng)能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);

          17)    傳感器 (SnO2, Ta2O5);

          18)    磨損潤(rùn)滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2);


          目前可以沉積的材料包括:

          1)   氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

          2)   氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...

          3)   氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

          4)   金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...

          5)   碳化物: TiC, NbC, TaC, ...

          6)   復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...

          7)   硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...



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