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          VTC-1RF-小型磁控射頻濺射鍍膜儀
          • VTC-1RF-小型磁控射頻濺射鍍膜儀
          舉報

          貨物所在地:安徽合肥市

          更新時間:2024-10-04 21:00:07

          瀏覽次數(shù):565

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          ( 聯(lián)系我們,請說明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息,謝謝?。?/p>

          小型磁控射頻濺射鍍膜儀是一款小型臺式單靶等離子濺射儀(射頻磁控型),配有1英寸的磁控等離子濺射頭和射頻(RF)等離子電源,此款設(shè)備主要用于制作非導電薄膜,特別是一些氧化物薄膜。對于新型非導電薄膜的探索,它是一款廉價并且高效的實驗幫手。

          小型磁控射頻濺射鍍膜儀是一款小型臺式單靶等離子濺射儀(射頻磁控型),配有1英寸的磁控等離子濺射頭和射頻(RF)等離子電源,此款設(shè)備主要用于制作非導電薄膜,特別是一些氧化物薄膜。對于新型非導電薄膜的探索,它是一款廉價并且高效的實驗幫手。

          我們用此設(shè)備得到擇優(yōu)取向的ZnO薄膜

          小型磁控射頻濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)

          輸入電源

          • 220VAC 50/60Hz, 單相
          • 800W  (包括真空泵)

          等離子源

          • 一個100W,13.5MHz的射頻電源安裝在移動柜內(nèi)
          • 配有一13.5MHz,100W的射頻電源(采用手動匹配)
          • 可選配300W射頻電源(自動匹配)
          • 注意:100W手動調(diào)節(jié)的RF(射頻)電源價格較低,但是每一次對于不同的靶材,都需要手動設(shè)置參數(shù)才能產(chǎn)生等離子體,比較耗費時間。300W自動匹配的RF(射頻)電源,價格較昂貴,但比較節(jié)約時間。
          • (點擊圖片查看詳細資料)

          磁控濺射頭

          • 一個1英寸磁控濺射頭(帶有水冷夾層),采用快速接頭與真空腔體相連接
          • 靶材尺寸: 直徑為25.4mm,zui大厚度3mm
          • 一個快速擋板安裝在法蘭上(手動操作,見圖左3)
          • 濺射頭所需冷卻水:流速10ml/min(儀器中配有一臺流速為16ml/min的循環(huán)水冷機)
          • 同時可選配2英寸濺射頭
          • 選配2英寸濺射頭靶材尺寸:直徑為50.8mm,zui大厚度6mm  
               

          真空腔體

          • 真空腔體:160 mm OD x 150 mm ID x  250mm H,采用高純石英制作
          • 密封法蘭:直徑為165 mm .  采用金屬鋁制作,采用硅膠密封圈密封
          • 一個不銹鋼網(wǎng)罩住整個石英腔體,以屏蔽等離子體
          • 真空度:<1.0*10-2 Torr (采用雙極旋片真空泵)
          •          <5*10-5 torr (采渦旋分子泵)

          載樣臺

          • 載樣臺可旋轉(zhuǎn)(為了制膜更加均勻)并可加熱
          • 載樣臺尺寸:直徑50mm (zui大可放置2英寸的基片)
          • 旋轉(zhuǎn)速度:1 - 20 rpm
          • 樣品臺的zui高加熱溫度為700℃(短期使用,恒溫不超過1小時),長期使用溫度500℃
          • 控溫精度+/- 10℃
          •  

          真空泵

          可選用直聯(lián)式雙極旋片泵,也可選用德國制作的分子泵系統(tǒng)

            

          薄膜測厚儀

          • 一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上,可實時監(jiān)測薄膜的厚度,分辨率為0.10 ?  
          • LED顯示屏顯示,同時也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù)
          •  

          質(zhì)保和質(zhì)量認證

          • 一年質(zhì)保期,終生維護
          • CE認證

          使用注意事項

          • 這款1英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜,所以并不需要太高的真空度
          • 為了較好地排出真空腔體中的氧氣,建議用5%H2+95 %N2對真空腔體清洗2-3次,可有效減少真空腔體中的氧含量
          • 請用純度大于5N的Ar來進行等離子濺射,甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水,所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過凈化系統(tǒng)過后,再導入到真空腔體內(nèi)
          •  

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