目錄:中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司>>晶體產(chǎn)品>>A-Z系列晶體列表>> SiC晶體基片
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更新時(shí)間：2024-10-22 13:08:30瀏覽次數(shù)：2179評(píng)價(jià)
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產(chǎn)品名稱： | 碳化硅(SiC)晶體基片 | ||||||||||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù)： |
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產(chǎn)品規(guī)格： | 摻雜類型：6H N型 <0001> 表示專門摻N的，摻雜濃度是10E18-10E19；4H N型；半絕緣； 拋光情況：單拋或雙拋； 表面粗糙度：Ra<10A 常規(guī)晶向 ：<0001>現(xiàn)可供應(yīng)<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，單拋 一種低電阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一種是高電阻率（>10^5 ohm.cm) | ||||||||||||||||||||||||
標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋包裝或單片盒、插盒裝 |
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