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中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司

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InP晶體基片

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更新時間：2024-10-22 11:55:56瀏覽次數(shù)：1546評價

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產(chǎn)品簡介

磷化銦（InP）晶體基片

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品名稱：

磷化銦(InP)晶體基片

技術(shù)參數(shù)：

單晶	InP
摻雜	None；Sn；S；Fe：Zn
硬度	3.0莫氏硬度
密度	4.78 g/cm3
導(dǎo)電類型	N；N；N；Si；P
折射率	3.45
載流子濃度cm^-3	1-2x10¹⁶1-3x10¹⁸ 1-4x10¹⁸.6-4x10¹⁸
位錯密度cm^-2	<5x10⁴
生長方法	LEC
溫度	1072℃
彈性模量	7.1E11dyn Cm-2

產(chǎn)品規(guī)格：

標(biāo)準(zhǔn)尺寸：<100>, dia2"x0.5mm,單拋;

<100>, 10x10x0.5mm,單拋；

表面粗糙度Ra：<15A

注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

標(biāo)準(zhǔn)包裝：

1000級超凈室，100級超凈袋封裝

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