目錄:中美合資合肥科晶材料技術(shù)有限公司>>晶體產(chǎn)品>>A-Z系列晶體列表>> GaN薄膜
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更新時(shí)間：2024-10-22 11:34:08瀏覽次數(shù)：1436評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)品名稱： | 氮化鎵(GaN)薄膜 | ||||||||||||||||
| 產(chǎn)品簡(jiǎn)介： | 氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延（HVPE）的方法。在HVPE過(guò)程中，鹽酸反應(yīng)生成GaCl，而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法，以取代氮化鎵單晶基板。 | ||||||||||||||||
技術(shù)參數(shù)： |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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