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坩堝（樣品臺(tái)）可移動(dòng)型1200℃管式爐--OTF-1200X-S-HPCVD

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OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內(nèi)移動(dòng)（靠步進(jìn)電機(jī)控制）的小型開(kāi)啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設(shè)備Z高工作溫度為1200℃。
設(shè)備特點(diǎn)：坩堝通過(guò)一步進(jìn)電機(jī)控制爐管，按照設(shè)定程序移動(dòng)，同時(shí)坩堝后端安裝一熱電偶（隨坩堝儀器移動(dòng)），可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品的溫度，意味著可通過(guò)移動(dòng)坩堝的位置，在爐體中準(zhǔn)確找到實(shí)驗(yàn)所需要的溫度，使得實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確度更高，重復(fù)性更強(qiáng)。此款設(shè)備可用于多種實(shí)驗(yàn)，比

詳細(xì)介紹

OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內(nèi)移動(dòng)（靠步進(jìn)電機(jī)控制）的小型開(kāi)啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設(shè)備zui高工作溫度為1200℃。
設(shè)備特點(diǎn)：坩堝通過(guò)一步進(jìn)電機(jī)控制爐管，按照設(shè)定程序移動(dòng)，同時(shí)坩堝后端安裝一熱電偶（隨坩堝儀器移動(dòng))，可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品的溫度，意味著可通過(guò)移動(dòng)坩堝的位置，在爐體中準(zhǔn)確找到實(shí)驗(yàn)所需要的溫度，使得實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確度更高，重復(fù)性更強(qiáng)。此款設(shè)備可用于多種實(shí)驗(yàn)，比如HPCVD（hybrid physical chemical deposition），快速熱蒸發(fā)，也可用于水平布里奇曼（Bridgman）法來(lái)長(zhǎng)晶體。

技術(shù)參數(shù)

高溫爐部分

爐體設(shè)計(jì)為開(kāi)啟式，以便于更換爐管
工作電源：208 - 240 VAC, 50/60Hz
zui大功率為：2KW
zui高工作溫度：1200℃（<1hr)
連續(xù)工作溫度：1100℃
加熱區(qū)長(zhǎng)度：200mm
恒溫區(qū)長(zhǎng)度：60mm(+/-1℃ @ 1000 ℃ )
爐管：高純石英管，尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L)（點(diǎn)擊圖片查看詳細(xì)資料）

溫度控制系統(tǒng)

采用PID30段程序化控溫，其控溫精度為+/-1℃
控溫儀表操作視頻
設(shè)有過(guò)熱和斷偶保護(hù)
熱電偶采用K型熱電偶

真空密封

采用KF結(jié)構(gòu)密封法蘭，硅膠密封圈密封
法蘭上安裝有一機(jī)械壓力表
左端法蘭與一個(gè)真空不銹鋼波紋管連接（不銹鋼波紋管zui大伸縮幅度為150mm)
真空度：10-2Torr(用機(jī)械泵抽） 10-5Torr(用分子泵抽）

坩堝移動(dòng)機(jī)構(gòu)&PLC控制

一個(gè)直徑為1/4＂的歐米伽鎧裝熱電偶（K型），通過(guò)法蘭伸入到爐管中，并可隨坩堝移動(dòng)，可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)樣品的實(shí)際溫度。
通過(guò)步進(jìn)電機(jī)移動(dòng)爐管內(nèi)的坩堝（樣品臺(tái)），zui大行程為100mm，移動(dòng)精度為1mm
通過(guò)觸摸屏設(shè)定坩堝一定的距離和目標(biāo)位置，坩堝移動(dòng)速度為180mm/min(更精確的移動(dòng)速度，可與本公司定制，需額外收費(fèi)）
可觀察下圖，了解坩堝與熱電偶的安裝方法

zui大加熱速率和冷卻速率

可通過(guò)移動(dòng)樣品到已預(yù)加熱的爐體中來(lái)得到zui大的加熱速率，也可將樣品迅速移除高溫的爐體，來(lái)得到zui大的降溫速率

zui大加熱速率

10℃/sec (150℃ - 250℃);
7℃/sec (250℃ - 350℃);
4℃/sec (350℃ - 500℃);
3℃/sec (500℃ - 550℃);
2℃/sec (550℃ - 650℃);
1℃/sec (650℃ - 800℃);
0.5℃/sec (800℃ - 1000℃);

zui大降溫速率

10℃/sec (950℃ - 900℃);
7℃/sec (900℃ - 850℃);
4℃/sec (850℃ - 750℃);
2℃/sec (750℃ - 600℃);
1.5℃/sec (600℃ - 500℃);
1℃/sec (500℃ - 400℃);
0.5℃/sec (400℃ - 300℃);

可選配件

可選購(gòu)手動(dòng)擋板閥（圖1）
防腐型數(shù)顯真空計(jì)（圖4）
快速連接法蘭，以方便于放置樣品（圖2）
多路質(zhì)量流量計(jì)控制的混氣系統(tǒng)，用于CVD和DVD實(shí)驗(yàn)（圖5）

尺寸

質(zhì)保

一年質(zhì)保期，終生維護(hù)（不含加熱元件、爐管和密封圈）

質(zhì)量認(rèn)證

CE認(rèn)證
所有電器元件（>24V）都通過(guò)UL / MET / CSA認(rèn)證
若客戶出認(rèn)證費(fèi)用，本公司保證單臺(tái)設(shè)備通過(guò)德國(guó)TUV認(rèn)證或CAS認(rèn)證

注意事項(xiàng)

爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa
由于氣瓶?jī)?nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時(shí)，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購(gòu)減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時(shí)會(huì)更加精確安全
當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí)，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài)
進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對(duì)加熱石英管的沖擊
石英管的長(zhǎng)時(shí)間使用溫度＜1100℃
對(duì)于樣品加熱的實(shí)驗(yàn)，不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對(duì)樣品加熱，則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開(kāi)泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）

應(yīng)用

此款設(shè)備可用于多種實(shí)驗(yàn)，以下列出了幾種實(shí)驗(yàn)方法
RTE（快速熱蒸發(fā)）：蒸發(fā)料放在坩堝中，放入到爐體中心，基片放在樣品臺(tái)上，樣品臺(tái)與熱電偶相連接，然后將樣品臺(tái)移動(dòng)到理想的位置（此位置溫度是實(shí)驗(yàn)所需要的溫度）
HPCVD（混合物理化學(xué)沉積）：與RTE相似，但需配混氣系統(tǒng)，對(duì)反應(yīng)氣體混合并控制流量，同時(shí)也需設(shè)定蒸發(fā)料的位置（確定蒸發(fā)料的蒸發(fā)溫度）
水平布里奇曼（Bridgman）法來(lái)長(zhǎng)晶體：將樣品和籽晶放入到坩堝中，并將坩堝放入到爐體中心位置，然后設(shè)定坩堝移動(dòng)速度，慢慢移動(dòng)坩堝

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