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特點

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• 采用高質(zhì)量的不銹鋼和陶瓷材料制作
• 采用電磁場的有元計算法來設計永磁體，以得到較高的磁場強度和均強場分布
• 磁體表面涂有一層保護層，以防止冷卻水的腐蝕，延長其使用壽命
• 標準的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配
• 安裝是采用標準真空接頭，便于操作
• 更換靶材較為簡單，無需調(diào)整濺射頭的高度
• 配有一塊銅靶

濺射頭

（點擊圖片查看詳細資料）

• 濺射頭的直徑:46.3mm
• 所用靶的直徑:1.0 ± 0.02"(25.4mm)
• 靶材的zui大厚度: 1/8" (3mm) 
• 磁環(huán):NdFeB稀土永磁鐵      
• 桿的直徑:      3/4" O.D.

所需功率

DC (zui大) 250 W

RF （zui大）100 W

zui大陰極濺射電流

3A

陰極濺射電流

200 - 1,000 V

可選壓力范圍

~1 mTorr 至1 Torr

濺射厚度均勻性圖

• 
• 注意：此圖是采用磁控濺射得的到一個200nm的薄膜，所用靶材為1英寸的銅靶。薄膜是沉積在氧化的硅片上，實驗參數(shù)為：
• 功率：直流150W
• 真空環(huán)境：10mTorr(Ar)
• 靶材與基片的距離：75mm

水冷卻

• 所需水流量： 1/2 GPM
• 進水溫度：<20 C
• 水管接頭：0.25" O.D快插頭

接頭

• 電路連接接頭：標準的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配
• 本公司會贈送一高真空快速接頭
• 此快速接頭的內(nèi)徑為0.75"，可將濺射頭安裝在真空腔體上，真空腔體上的安裝孔直徑為1英寸，真空腔體的壁厚不得大于1英寸
   

產(chǎn)品長度

14英寸（355.6mm)

產(chǎn)品重量

1.36kg

傾斜裝置

• 濺射頭相對于桿zui大可傾斜+/- 45度
• 傾斜裝置上有刻度線，可觀察到靶頭傾斜的角度

可選配件

• 循環(huán)水冷機，流量為16L / min ，水箱容積為6L
• 本公司可提供各種配件可與HVMSS-SPC-1-LD配套，讓客戶自己搭建磁控濺射儀
  
  

質(zhì)保期

一年質(zhì)保期終生維護

應用

• 在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜，下面是一些應用：
• 薄膜涂覆
• 半導體器件
• 磁記錄介質(zhì)
• 超導薄膜
• 量子計算器件
• MEMS
• 生物傳感器
• 納米技術
• 超晶格
• 顆粒膜
• 記憶合金
• 組合薄膜沉積
• 光學薄膜