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參考價	面議

薄膜制備全套設(shè)備

3靶等離子濺射儀

火焰輔助噴霧熱分解涂覆設(shè)備

超聲波霧化模塊

多功能試樣表面處理機(jī)

小型蒸鍍儀

高真空蒸發(fā)鍍膜儀

小型磁控射頻濺射鍍膜儀

射頻等離子磁控濺射鍍膜儀

直流等離子磁控濺射鍍膜儀

雙靶磁控濺射儀

提拉涂膜設(shè)備

旋轉(zhuǎn)涂層設(shè)備（勻膠機(jī)）

流延涂覆機(jī)

磁控濺射鍍膜設(shè)備

蒸發(fā)鍍膜設(shè)備

等離子鍍膜設(shè)備

熱噴涂鍍膜設(shè)備/靜電紡絲鍍膜設(shè)備

濺射源及真空腔體

VTC-1RF是一款小型臺式單靶等離子濺射儀（射頻磁控型），配有1英寸的磁控等離子濺射頭和射頻（RF）等離子電源，此款設(shè)備主要用于制作非導(dǎo)電薄膜，特別是一些氧化物薄膜。對于新型非導(dǎo)電薄膜的探索，它是一款廉價并且高效的實驗幫手。

詳細(xì)介紹

VTC-1RF是一款小型臺式單靶等離子濺射儀(射頻磁控型)，配有1英寸的磁控等離子濺射頭和射頻（RF）等離子電源，此款設(shè)備主要用于制作非導(dǎo)電薄膜，特別是一些氧化物薄膜。對于新型非導(dǎo)電薄膜的探索，它是一款廉價并且高效的實驗幫手。

我們用此設(shè)備得到擇優(yōu)取向的ZnO薄膜

技術(shù)參數(shù)

輸入電源	220VAC 50/60Hz, 單相 800W (包括真空泵）
等離子源	一個100W，13.5MHz的射頻電源安裝在移動柜內(nèi) 配有一13.5MHz,100W的射頻電源（采用手動匹配）可選配300W射頻電源（自動匹配）注意：100W手動調(diào)節(jié)的RF（射頻）電源價格較低，但是每一次對于不同的靶材，都需要手動設(shè)置參數(shù)才能產(chǎn)生等離子體，比較耗費時間。300W自動匹配的RF（射頻）電源，價格較昂貴，但比較節(jié)約時間。（點擊圖片查看詳細(xì)資料）
磁控濺射頭	一個1英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接靶材尺寸: 直徑為25.4mm,zui大厚度3mm 一個快速擋板安裝在法蘭上（手動操作，見圖左3）濺射頭所需冷卻水：流速10ml/min（儀器中配有一臺流速為16ml/min的循環(huán)水冷機(jī)）同時可選配2英寸濺射頭選配2英寸濺射頭靶材尺寸：直徑為50.8mm，zui大厚度6mm
真空腔體	真空腔體：160 mm OD x 150 mm ID x 250mm H，采用高純石英制作密封法蘭:直徑為165 mm . 采用金屬鋁制作，采用硅膠密封圈密封一個不銹鋼網(wǎng)罩住整個石英腔體，以屏蔽等離子體真空度：<1.010-2 Torr （采用雙極旋片真空泵） <510-5 torr （采渦旋分子泵）
載樣臺	載樣臺可旋轉(zhuǎn)（為了制膜更加均勻）并可加熱載樣臺尺寸：直徑50mm （zui大可放置2英寸的基片）旋轉(zhuǎn)速度：1 - 20 rpm 樣品臺的zui高加熱溫度為700℃(短期使用，恒溫不超過1小時)，長期使用溫度500℃ 控溫精度+/- 10℃
真空泵	可選用直聯(lián)式雙極旋片泵,也可選用德國制作的分子泵系統(tǒng)
薄膜測厚儀	一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上，可實時監(jiān)測薄膜的厚度，分辨率為0.10 ? LED顯示屏顯示，同時也輸入所制作薄膜的相關(guān)數(shù)據(jù)
質(zhì)保和質(zhì)量認(rèn)證	一年質(zhì)保期，終生維護(hù) CE認(rèn)證
使用注意事項	這款1英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜，所以并不需要太高的真空度為了較好地排出真空腔體中的氧氣，建議用5%H2+95 %N2對真空腔體清洗2-3次，可有效減少真空腔體中的氧含量請用純度大于5N的Ar來進(jìn)行等離子濺射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過凈化系統(tǒng)過后，再導(dǎo)入到真空腔體內(nèi)