主要功能：

測(cè)試中小功率半導(dǎo)體三極管開(kāi)關(guān)參數(shù),
功率由100mW至1W的NPN或PNP型晶體管。

主要參數(shù):

測(cè)量范圍：由5nS至500 nS.
測(cè)量條件:
1） Ib1=Ib2=1mA, Ic=10 mA .
2） Ib1=Ib2=3mA, Ic=300 mA .
3） Ib1=Ib2=10mA, Ic=100 mA.
4） Ib1=Ib2=30mA, Ic=300 mA.
5） Ib1=Ib2=50mA, Ic=500 mA

儀器主要測(cè)量參數(shù):

測(cè)試中小功率半導(dǎo)體三極管開(kāi)關(guān)參數(shù),
功率由100mW至1W的NPN或PNP型晶體管。 td 延遲時(shí)間
tr 被測(cè)晶體管上升時(shí)間
ton 晶體管開(kāi)啟時(shí)間
ts 存貯時(shí)間
tf 被測(cè)晶體管下降時(shí)間
toff 晶體管下降時(shí)間

儀器組成及技術(shù)指標(biāo)：

1） 脈沖信號(hào)源 ： 頻率20KHz
脈沖寬度:0.7-2.5uS .
±脈沖前沿:≤2nS.
±脈沖幅度: ±10V±0.5V .

2） 取樣示波器 ：
帶寬: 1000MHz .
掃速: 20nS/cm . 50nS/cm . 100nS/cm . 200nS/cm .

3） CRT顯示輸入/輸出波形
計(jì)算機(jī)顯示測(cè)量參數(shù)及測(cè)量結(jié)果