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更新時(shí)間:2024-11-20 12:00:41
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進(jìn)口BBO普克爾斯盒,BBO光電Q開(kāi)關(guān),調(diào)制器適合高重復(fù)頻率或高功率激光應(yīng)用的BBO電光Q開(kāi)關(guān)和BBO電光調(diào)制器,它采用美國(guó)fastpulse公司優(yōu)質(zhì)BBO晶體,光學(xué)質(zhì)量好,雙折射應(yīng)力低,消光比高,波前畸變小,在紫外到近紅外波段的光學(xué)吸收小,因而透過(guò)率高。
進(jìn)口BBO普克爾斯盒,BBO光電Q開(kāi)關(guān),調(diào)制器特點(diǎn):
◎ BBO普克爾盒光譜范圍250-1100nm
高消光比
微弱的壓電反應(yīng)
高損傷閾值
高平均功率
BBO普克爾盒單晶體/雙晶體配置任選
進(jìn)口BBO普克爾斯盒,BBO光電Q開(kāi)關(guān),調(diào)制器在1-50KHz的重復(fù)頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出可以忽略的壓電反應(yīng)。
BBO普克爾盒,BBO電光Q開(kāi)關(guān)與激光脈沖選通系統(tǒng)匹配良好,非常應(yīng)用于再生激光放大器的種子注入、選通、斬波和偏振旋轉(zhuǎn)等應(yīng)用。BBO普克爾盒的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它不會(huì)帶來(lái)明顯的壓電效應(yīng)。
BBO普克爾盒,BBO電光Q開(kāi)關(guān)所用的BBO晶體的有用光學(xué)波段是250-2100nm,在350-1100nm波段增透鍍膜后的光學(xué)透過(guò)率可達(dá)98.5%。單塊晶體的典型消光比可達(dá)1000:1@633nm(>30db),單次波前畸變<1/8波長(zhǎng)@633nm,在較寬的溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)出優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。BBO晶體表現(xiàn)出輕微的吸濕性,因此必須對(duì)其密閉使用,當(dāng)然,在干燥,潔凈的空間內(nèi),您可以大膽地去使用。
進(jìn)口BBO普克爾斯盒,BBO光電Q開(kāi)關(guān),調(diào)制器的激光損傷閾值與RTP相當(dāng),大約為850MW/cm2 @10ns, 1064nm.對(duì)于激光脈沖的拾取/脈沖選通應(yīng)用而言,當(dāng)脈寬小于100皮秒時(shí),損傷閾值大約為10GW/cm2.
型號(hào) | BBO1150-3 | BBO1150-4 | BBO1150-5 | BBO1150-6 |
孔徑/直徑, mm | 3 | 4 | 5 | 6 |
半波延遲電壓,KV @633nm @800nm @1064nm | 3.4 4.3 5.8 | 4.6 5.8 7.7 | 5.7 7.2 9.6 | 6.9 8.7 11.5 |
晶體材料 | BBO | |||
透過(guò)率 | >98% 400-1064nm | |||
消光比(全孔徑) | >1000:1@633nm | |||
上升時(shí)間, 皮秒 | <350 | |||
電容,pf | 6 | |||
峰值損傷閾值 | 850MW/cm2<10ns, 10GW/cm2.<100ps @350-1100nm |
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