目錄:孚光精儀（中國）有限公司>>光學測量系列>>晶圓測試儀器>> FPSEM-STE35三腔室分子束外延系統(tǒng)
| 生長溫度 | 900度 |
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三腔室分子束外延系統(tǒng)是帶有三個MBE分子束外延生長腔室的異質結材料MBE生長設備,可用于在高達∅100mm的襯底上以及三個2英寸以上襯底上一次精確生長外延層,獲得很好的厚度和均勻性能。
三腔室分子束外延系統(tǒng)使用PA-МВЕ和NH3-MBE特殊型號的MBE生長設備,可生長InAlGaAsSb或InGaAlN外延異質結構。
在使用其他制造商的擴散池時，由于改變了“源到襯底"的距離（晶圓和加熱器同時進行*的垂直移動），因此可以進行額外的均勻性優(yōu)化。
三腔室分子束外延系統(tǒng)是一個三室超高壓系統(tǒng)，包括單獨泵送的生長室、用于預生長準備的緩沖/放氣室和負載鎖定室。所有腔室通過真空門和普通的半自動基板轉移系統(tǒng)連接。生長過程由基于原有軟件的自動化系統(tǒng)控制。它允許控制過程手動或在自動模式下使用編程配方。
三腔室分子束外延系統(tǒng)基本配置：
•具有垂直生長幾何結構的生長室，通過離子/低溫泵（用于常規(guī)III Vs）或TMP/C Ryopump（用于III氮化物）和鈦升華泵進行泵送
•10×63CF孔，用于帶百葉窗的滲出池，1個中心63CF孔和最多3×40CF無百葉窗的外部孔，用于V組材料閥門裂解器或氣源；紅外高溫計或激光干涉測量孔
•通過生長室上的幾個視口可以看到所有滲出細胞孔
•單個液氮冷凍板，有效包圍生長體積（NH3-MBE生長操縱器的附加冷凍板）
•基于PBN/PG/PBN的生長機械手加熱元件，具有高均勻性和快速上下動態(tài)
•一套分子源，包括5個滲出細胞和V組的源（帶閥裂解器、氮等離子體源或氨注入器）
•最高基板溫度-不低于900°С（NH3-MBE不低于1200°С）
•現場監(jiān)測工具：RHEED、紅外高溫計、RGA和激光干涉儀（用于III氮化物生長）
•準備室，帶有用于基板支架（7個）和晶片脫氣臺的存儲盒，原子氫源專用端口
•帶儲物盒的裝載鎖室，用于基板支架（8個），帶有配備手套箱的快速檢修門
•一套基板支架
•適當的超高壓儀表
•烘烤系統(tǒng)（高達200°C），無熱點形成
•控制電子設備
•基于原始軟件的過程控制系統(tǒng)
三腔室分子束外延系統(tǒng)主要優(yōu)勢：
•“實驗室到工廠"的概念，允許開展從基礎研究到異質結構試生產的活動
•鋁（冷唇）專用滲出細胞，操作穩(wěn)定，鎵（熱唇）提供低橢圓形缺陷密度
•在系統(tǒng)基本配置中對生長過程進行現場監(jiān)測的所有必要工具
•特別設計的生長操縱器，提供高溫均勻性和加熱/冷卻速率動態(tài)
•安裝期間的有效技術支持，包括基本工藝轉移
•簡單的系統(tǒng)操作和定期的技術維護
三腔室分子束外延系統(tǒng)參數：
| 烘烤后生長室的最終真空度，Torr | <5×10-11 |
| 最大基板直徑，mm | 100或3×2″block |
| 100mm晶圓的厚度和復合不均勻度，% | ±1 |
| “源到基片"距離，mm | 135÷210 |
| 滲出細胞百葉窗設計 | 基于磁耦合旋轉運動的無沖擊驅動旋轉機構 |
| 百葉窗葉片材料 | 鉭、鉬或PBN（可選） |
| 生長機械手加熱元件的設計 | PBN/PG/PBN |
| 生長操縱器的最高工藝溫度，不低于，℃ | 900 （NH3-MBE為1200） |
| 準備室中基板脫氣溫度，不低于，℃ | 650 （III氮化物為1100） |
| 生長室烘烤溫度，不低于，℃ | 200 |
| 離子泵容量，不小于，l/s： –生長室（III-N的TMP） –準備室 –負載鎖定 | 800 (2000) 500 300 |
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