目錄:孚光精儀（中國）有限公司>>光學(xué)測(cè)量系列>>晶圓測(cè)試儀器>> FPMDC-C-VC-V/I-V特性測(cè)試儀
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更新時(shí)間：2024-07-16 13:41:40瀏覽次數(shù)：418評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 生物產(chǎn)業(yè),電子,航天,電氣 |
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C-V/I-V特性測(cè)試儀是為半導(dǎo)體C-V特性分析測(cè)試和I-V特性測(cè)試分析設(shè)計(jì)的C-V/I-V測(cè)試系統(tǒng)。
C-V/I-V特性測(cè)試儀具有較高的C-V測(cè)試精度，提供流線型C-V曲線和偏置溫度壓力程序，方便用戶使用，點(diǎn)擊鼠標(biāo)就可測(cè)量C-V曲線，顯示所有C-V曲線繪圖和測(cè)試結(jié)果。密碼保護(hù)功能允許使用人員預(yù)設(shè)所有C-V測(cè)試結(jié)果和壓力測(cè)試周期。測(cè)試結(jié)果可保存起來用于后來分析。
C-V/I-V特性測(cè)試儀功能
提供Swept,Retrace或Pulsed模式，可以檢測(cè)C-V/I-V特性測(cè)試儀在不同情況下的性能。
Swept模式：測(cè)試襯底的摻雜，平帶電壓，閾值電壓，流動(dòng)離子濃度等。*“閃光"和“穩(wěn)定"功能可達(dá)到平衡反轉(zhuǎn)電容。
電導(dǎo)率測(cè)量：測(cè)量電導(dǎo)率和電容測(cè)量真實(shí)的器件電容值和耗盡區(qū)電導(dǎo)。
摻雜曲線：可把C-V曲線數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成“摻雜曲線"，這種摻雜曲線非常適合低摻雜離子注入監(jiān)測(cè)。
C-V/I-V特性測(cè)試儀規(guī)格參數(shù)
PN結(jié)摻雜分布：范圍1x10^13離子/cm^3到1x10^18離子/cm^3,深度0.01微米~100微米。
深度和摻雜范圍由零偏壓耗盡寬度,擊穿電壓和儀器電壓范圍決定。
典型值：1x10^15離子/cm^3,深度：1~17微米
1x10^16離子/cm^3,深度：0.33~2.5微米
精度：典型+/-2%
MOS摻雜分布：范圍2x10^14離子/cm^3到5x10^17離子/cm^3,深度0.01微米~10微米。
深度和摻雜范圍由擊穿電壓,氧化層擊穿和儀器電壓范圍決定。
典型值：1x10^15離子/cm^3,深度：0.01~5微米
1x10^16離子/cm^3,深度：0.01~2微米
精度：典型+/-5%
植入劑量計(jì)算： 范圍5x10^10離子/cm^2到5x10^12離子/cm^2,
精度：典型+/-8%
壽命： 范圍0.1微秒~0.1秒
典型值：100~1000微秒
精度：典型+/-8%
平帶電壓偏移： 范圍：0.005V~50V
典型值：0.05V~0.2V
精度：+/-2%
流動(dòng)離子電荷濃度:范圍1x10^10離子/cm^2到1x10^13離子/cm^2
典型值：2x10^10離子/cm^2/eV
精度：典型+/-2%，+/-1x10^10離子/cm^2
界面陷阱密度：范圍2x10^9離子/cm^2/eV到1x10^12離子/cm^2/eV
典型值：3x10^10離子/cm^2
精度：典型+/-7%，+/-3x10^9離子/cm^2/eV
C-V特性 范圍：+/-100V,+/-10fA ~+/-1mA
精度：+/-1%
結(jié)二極管參數(shù)： 范圍：Rs0.1~1000歐姆，Is:1x10^-3 ~ 1x 10^-8安培, n:1.0~2.0
典型值：Rs 2歐姆， Is 1x10^-11安培, n:1.2
精度：+/-5%
氧化物擊穿場(chǎng) 范圍：0~20MV/cm
典型值：8MV/cm
精度：+/-5%.
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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