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詳細(xì)摘要： 高純Bi2Se3粉末 高純硒化鉍粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g

詳細(xì)摘要： 超高純Bi2Se3粉末 超高純硒化鉍粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g

詳細(xì)摘要： 高純Bi2S3粉末 高純硫化鉍粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g

詳細(xì)摘要： 超高純Bi2S3粉末 超高純硫化鉍粉末（1g）純度：99.99995%重量：1g

詳細(xì)摘要： 高純MoSSe粉末高純硫硒化鉬粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g

詳細(xì)摘要： 比表面積 ~600m2/g松裝密度 ~0.0045g/cm3）單位：克

詳細(xì)摘要： 高純MoS2粉末 高純二硫化鉬粉末 （1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

詳細(xì)摘要： 超高純MoS2粉末 超高純二硫化鉬粉末 （1g）純度：99.99995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長制備二維晶體材料

詳細(xì)摘要： 形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

詳細(xì)摘要： 1．將單層硫化鉬轉(zhuǎn)移至襯底（襯底可根據(jù)客戶需求選定）2．邊長15um （三角形）片內(nèi)層數(shù)均勻3．襯底上轉(zhuǎn)移3個(gè)（數(shù)量可定制）帶電極的單層硫化鉬樣品4．電極間距：...

詳細(xì)摘要： 形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

詳細(xì)摘要： 形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um量大價(jià)格面議

詳細(xì)摘要： 形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

詳細(xì)摘要： 尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um

詳細(xì)摘要： Full Area Coverage Monolayer MoS2 on c-cut Sapphire

詳細(xì)摘要： This product contains full area coverage MoS2 monolayers on SiO2/Si substrates.

詳細(xì)摘要： This product contains full area coverage ReS2 monolayers on c-cut sapphire subst...

詳細(xì)摘要： This product contains full area coverage ReSe2 monolayers on c-cut sapphire subs...

詳細(xì)摘要： This product contains full area coverage SnS2 monolayers on c-cut sapphire subst...

詳細(xì)摘要： This product contains full area coverage SnSe2 monolayers on c-cut sapphire subs...