CMP后清洗機(jī)-單晶圓/掩膜版兆聲清洗：兆聲和清洗技術(shù)的發(fā)展，對(duì)MEMS和半導(dǎo)體等領(lǐng)域的晶圓和掩模版清洗提供了高超的水平，可以幫助用戶(hù)獲得干凈的晶圓片和掩模版。

NANO-MASTER提供兆聲清洗系統(tǒng)，使用先進(jìn)的無(wú)損兆聲清洗?？梢赃m用于易受損的帶圖案或無(wú)圖案的基片，包含帶保護(hù)膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達(dá)到優(yōu)化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個(gè)基片表面，通過(guò)分布能量的z大化支持z理想的清洗，同時(shí)保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。

SWC系統(tǒng)提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進(jìn)一步加強(qiáng)。SWC和LSC具備對(duì)點(diǎn)試劑滴膠系統(tǒng)，可以*節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力，提供了可控的化學(xué)試劑在整個(gè)基片上的分布。

通過(guò)聯(lián)合使用化學(xué)試劑滴膠和NANO-MASTER的兆聲清洗技術(shù)，系統(tǒng)去除顆粒的能力得到進(jìn)一步優(yōu)化。顆粒從表面被釋放的能力也因此得到提升，從而被釋放的顆粒在幅流的DI水作用下被掃除出去，而把回附的數(shù)量降到了z低水平。從基片表面被去除。如果沒(méi)有使用幅流DI水的優(yōu)勢(shì)，*進(jìn)的靜態(tài)可循環(huán)兆聲清洗槽會(huì)有更大數(shù)量的顆?；馗?，并且因此需要更多的去除這些顆粒。

此外，NANO-MASTER的清洗機(jī)都還提供了一系列的選配功能。PVA軟毛刷提供了機(jī)械的方式去除無(wú)圖案基片上的污點(diǎn)和殘膠。DI水臭氧化的選配項(xiàng)提供了有機(jī)物的去除，而無(wú)須腐蝕性的化學(xué)試劑。我們的氫化DI水系統(tǒng)跟兆聲能量結(jié)合可以達(dá)到納米級(jí)的顆粒去除。根據(jù)不同的應(yīng)用，某些選配項(xiàng)將會(huì)進(jìn)一步提高設(shè)備去除不想要的顆粒和殘留物的能力。

兆聲清洗系統(tǒng)能夠就地實(shí)現(xiàn)熱氮或異丙醇甩干?！案蛇M(jìn)干出” 一步工藝可以在我們的系統(tǒng)中以z低的投資和購(gòu)置成本來(lái)實(shí)現(xiàn)。NANO-MASTER清洗機(jī)的工藝處理時(shí)間可以在3-5分鐘內(nèi)完成，具體是3分鐘還是5分鐘取決于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情況。

NANO-MASTER的技術(shù)也適用于清洗背部以及帶保護(hù)膜掩模版前面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，降低這些掩模版的不必要去除和重做保護(hù)膜的幾率。它也可以用于去除薄膜膠黏劑的黏附性并準(zhǔn)備表面以便再次覆膜。此外，帶薄膜掩模版的全部正面的兆聲清洗以及旋轉(zhuǎn)甩干可以做到無(wú)損并且對(duì)薄膜無(wú)滲漏。

CMP后清洗機(jī)-單晶圓/掩膜版兆聲清洗應(yīng)用：

• 濕法刻蝕

• 帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片

• Ge, GaAs以及InP晶圓片清洗

• CMP處理后的晶圓片清洗

• 晶圓框架上的切粒芯片清洗

• 等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗

• 帶保護(hù)膜的分劃版清洗

• 掩模版空白部位或接觸部位清洗

• X射線(xiàn)及極紫外掩模版清洗

• 光學(xué)鏡頭清洗

• ITO涂覆的顯示面板清洗

• 兆聲輔助的剝離工藝

  
  

特點(diǎn)：

• 支持12”直徑的圓片或7”x7”方片

• 獨(dú)立系統(tǒng)

• 無(wú)損兆聲,試劑，毛刷清洗及旋轉(zhuǎn)甩干

• 微處理機(jī)自動(dòng)控制

• 化學(xué)試劑滴膠單元

• 溶劑與酸分離排廢

• 熱氮

• 30”D x 26”W 的占地面積

選配項(xiàng)：

• 多系統(tǒng)集成

• 掩模板或晶圓片夾具

• 臭氧清洗

• PVA軟毛刷清洗

• 高壓DI清洗

• 氮?dú)怆x子發(fā)生器

• 機(jī)械手自動(dòng)上下載片