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          MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀

          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱 杭州雷邁科技有限公司
          • 品牌 其他品牌
          • 型號
          • 產(chǎn)地
          • 廠商性質(zhì) 代理商
          • 更新時(shí)間 2024/12/11 18:49:11
          • 訪問次數(shù) 46

          聯(lián)系方式:蔣新浩查看聯(lián)系方式

          聯(lián)系我們時(shí)請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


          杭州雷邁科技有限公司(Labmates Technology成立于2010,公司致力于實(shí)驗(yàn)室*科學(xué)儀器和工業(yè)專用設(shè)備的研發(fā)、銷售和技術(shù)服務(wù),產(chǎn)品應(yīng)用于新材料、電子、半導(dǎo)體、化工、光伏、玻璃等眾多行業(yè)及高等院校和科研機(jī)構(gòu)。

           

          公司主營產(chǎn)品包括鐵電材料測試儀、寬頻介電阻抗譜儀、薄膜壓電測試儀、3D輪廓儀、顯微CT、光譜分析儀、X射線衍射儀和分光光度儀等分析測試儀器和設(shè)備。我們關(guān)注科技發(fā)展趨勢和動態(tài),與時(shí)俱進(jìn)引進(jìn)新興功能性材料的分析和表征整體解決方案,已與眾多高校及科研院所建立起技術(shù)交流和合作關(guān)系,以專業(yè)應(yīng)用技術(shù)為優(yōu)勢,以產(chǎn)品整體解決方案為己長,為用戶提供可靠的產(chǎn)品和有效的服務(wù)。

           

          經(jīng)過團(tuán)隊(duì)每一個(gè)成員的持續(xù)努力和奮斗,公司不斷拓展業(yè)務(wù)范圍和知識的邊界,穩(wěn)步發(fā)展。專業(yè)的銷售和技術(shù)服務(wù)工程師,結(jié)合*的產(chǎn)品和誠實(shí)守信的經(jīng)營理念,贏得廣大客戶的認(rèn)可。特別在不斷涌現(xiàn)的新材料和技術(shù)方面,我們緊跟步伐,不斷開拓,竭誠為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)!

           

          我們的愿景是通過提供以科學(xué)為基礎(chǔ)的高品質(zhì)、新技術(shù)的產(chǎn)品和服務(wù),成為*實(shí)驗(yàn)室的專業(yè)合作伙伴,此正是我們的英文名稱“Labmates”之寓意。我們真誠感謝客戶的支持,期待分享一個(gè)成功的未來。

           




          分光測色儀,鐵電測試儀,光學(xué)輪廓儀,原子力顯微鏡,光譜儀,測配色系統(tǒng)等實(shí)驗(yàn)室儀器和設(shè)備

          產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 5萬-10萬
          應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子,交通,航天,電氣

          MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀基于激光干涉原理,激光干涉儀是高精度、高靈敏度的測量儀器,廣泛應(yīng)用在先進(jìn)制造領(lǐng)域。MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀采用了自主研發(fā)的高度集成化的激光傳感平臺,以工業(yè)應(yīng)用中最重要的線型標(biāo)定為核心,將干涉儀的參考光路內(nèi)置于干涉儀中,將光學(xué)相干光路等集成在單個(gè)光電芯片上,一步實(shí)現(xiàn)激光干涉儀的線型測長和標(biāo)定功能,從而簡化了干涉儀系統(tǒng)測試時(shí)的復(fù)雜程度。

          MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀


          MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀半導(dǎo)體典型應(yīng)用

          ●超高精度位置跟蹤應(yīng)用

          在光刻過程中,分辨率是反映光刻機(jī)理論上可識別的最小特征尺寸的重要指標(biāo),也決定著運(yùn)動系統(tǒng)的控制精度。由于整個(gè)曝光過程中要求系統(tǒng)以恒定的速度運(yùn)行,對速度的均勻性要求較高,因此對控制的精度的要求更為苛刻,通常情況下,勻速性由跟蹤誤差反映,無掩模掃描式光刻系統(tǒng)的控制要滿足納米級精度, 工件臺自身的控制也要求達(dá)到該數(shù)量級,并且工件臺控制系統(tǒng)的跟蹤定位精度也是影響套刻精度的重要因素,預(yù)防反復(fù)曝光芯片刻蝕過程中,發(fā)生偏離導(dǎo)致電路圖案扭曲影響芯片性能。


          l  平面檢測

          在光刻測量過程中,硅片在高速運(yùn)動情況下,容易發(fā)生形變,從而影響硅片的平面度,降低光刻精度。為了優(yōu)化硅片平臺的操作模式,需要一種納米級超高精度、無接觸的形變量測量方式。



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