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氮化鎵電阻率方阻測(cè)試儀
- 公司名稱 九域半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/11/18 16:21:34
- 訪問次數(shù) 305
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價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
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氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙較寬,為3.4eV,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。其次,氮化鎵具有優(yōu)良的電子遷移率和電子飽和漂移速度,這使得它在射頻和微波電子器件中具有出色的性能,例如5G通信系統(tǒng)中的射頻功率放大器。
氮化鎵晶體的晶格結(jié)構(gòu)可以描述為每個(gè)鎵原子周圍環(huán)繞著四個(gè)氮原子,而每個(gè)氮原子周圍也被四個(gè)鎵原子包圍。這種結(jié)構(gòu)稱為閃鋅礦結(jié)構(gòu)或者螺旋狀烯結(jié)構(gòu),它是由鎵原子和氮原子所構(gòu)成的共價(jià)鍵和離子鍵交替排列而成。
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