MEMS光開(kāi)關(guān) MEMS 1XN(64≤N≤256)光開(kāi)關(guān) 廠(chǎng)家源頭

參考價(jià)	￥ 1000
訂貨量	≥1件

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng) 深圳市歐億光電技術(shù)有限公司
品牌 歐億光電
型號(hào) MEMS光開(kāi)關(guān)
產(chǎn)地 廣東省深圳市龍華區(qū)龍華街道和平路23號(hào)德信昌智慧園1棟5樓
廠(chǎng)商性質(zhì) 生產(chǎn)廠(chǎng)家
更新時(shí)間 2024/9/4 14:15:24
訪(fǎng)問(wèn)次數(shù) 21

產(chǎn)品標(biāo)簽

MEMS光開(kāi)關(guān)光開(kāi)關(guān)歐億多通道光開(kāi)關(guān)定制光開(kāi)關(guān)

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公司介紹 主營(yíng)產(chǎn)品

深圳市歐億光電(OE PHOTONICS)是一家專(zhuān)業(yè)從事光波導(dǎo)芯片及組件、光器件與模塊研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售的高科技公司?？偛课挥谏钲冢⒃谏虾＝⒘搜邪l(fā)中心、江西贛州建立了生產(chǎn)基地。公司現(xiàn)有研發(fā)生產(chǎn)人員200多人，與浙江大學(xué)、中科院、西南大學(xué)等院所建立長(zhǎng)期良好科研合作關(guān)系。

公司目前主要擁有：光波導(dǎo)芯片設(shè)計(jì)-生產(chǎn)平臺(tái)、光纖器件-模塊開(kāi)發(fā)平臺(tái)、光學(xué)微納加工平臺(tái)三大平臺(tái)。公司主要產(chǎn)品包括：多功能光波導(dǎo)芯片及組件(標(biāo)準(zhǔn)/定制)、硅光耦合扇出組件（波導(dǎo)/光纖陣列）、光耦合器系列（Splitter/Tap Coupler），光衰減器系列、光開(kāi)關(guān)及光開(kāi)關(guān)矩陣系列、光波分復(fù)用（WDM）系列、可調(diào)光濾波器與光譜分析儀器系列等。產(chǎn)品覆蓋常規(guī)、保偏、單模、多模、大功率等多種光纖應(yīng)用類(lèi)型；并覆蓋紫外、可見(jiàn)光、紅外等多種光波長(zhǎng)范圍。

展開(kāi)

光開(kāi)關(guān)，mems光開(kāi)關(guān)，機(jī)械式光開(kāi)關(guān)，濾波器，TOF，光衰減器，VOA

詳細(xì)信息 在線(xiàn)詢(xún)價(jià)

價(jià)格區(qū)間	面議	應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,電子,航天,電氣,綜合
組件類(lèi)別	光學(xué)元件

MEMS 1XN(64≤N≤256)光開(kāi)關(guān) 廠(chǎng)家源頭

光開(kāi)關(guān)生產(chǎn)專(zhuān)家，歡迎定制需求

MEMS 1XN(64≤N≤256)光開(kāi)關(guān) 廠(chǎng)家源頭

歐億光電(OE photonics)的MEMS 1x256光開(kāi)關(guān)是基于MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）技術(shù)的一種允許在單個(gè)輸入光和N個(gè)輸出光之間進(jìn)行信道選擇的光開(kāi)關(guān)，具有尺寸小、壽命長(zhǎng)和可靠性穩(wěn)定等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于OADM和OXC等光網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域。

特征	應(yīng)用
尺寸小	光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)測(cè)
重新性高，穩(wěn)定性好	數(shù)據(jù)中心
TTL并行或I²C串行控制接口	光纖傳感
符合GR1073，GR-1209和GR-1221標(biāo)準(zhǔn)

主要規(guī)格

參數(shù)	單位	指標(biāo)
通道數(shù)	CH	64	128	256
工作波長(zhǎng)	nm	1310±20 or 1550±20 or 1625±20
插入損耗(Max)	dB	1.8	2.0	2.5
回波損耗	dB	≥50
重復(fù)性	dB	0.03dB Max
串?dāng)_	dB	≥50
偏振相關(guān)損耗(PDL)	dB	≤0.15
波長(zhǎng)相關(guān)損耗(WDL)	dB	≤0.3@CWL±20nm,23℃
溫度相關(guān)損耗(TDL)	dB	<0.5dB
工作溫度	℃	-5~70
存儲(chǔ)溫度	℃	-40~85
切換響應(yīng)時(shí)間	ms	≤30
耐用性	cycle	≥1×10⁹
工作電壓	V	5~12
注：1. 以上測(cè)試損耗(IL)是基于中心波長(zhǎng)±30nm，23℃下測(cè)試的結(jié)果，要求多波段增加0.2dB。 2. 重復(fù)性數(shù)據(jù)是基于100 Cycle重復(fù)測(cè)試的結(jié)果。 3. 不含連接頭，包含連接頭插損增加0.2dB。