NEXUS IBD 離子束沉積設(shè)備
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 公司名稱 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 Veeco
- 型號(hào) NEXUS IBD
- 產(chǎn)地 美國
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/9/6 9:27:40
- 訪問次數(shù) 150
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1.產(chǎn)品概述：
NEXUS IBD是由VEECO研發(fā)的第三代NEXUS® 離子束沉積 （IBD），適用于硬偏置、引線、絕緣層和傳感器堆棧沉積。
2.產(chǎn)品原理：
離子束輔助沉積的原理是在離子束的作用下，將氣態(tài)或液態(tài)物質(zhì)引導(dǎo)到材料表面，通過物理或化學(xué)反應(yīng)，形成固態(tài)薄膜。 離子束輔助沉積具有沉積溫度低、薄膜質(zhì)量高、可控制性好等優(yōu)點(diǎn)，因此在光電、電子、能源等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
3.產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)制造商可以借助 Veeco 的第三代 NEXUS® 離子束沉積 （IBD） 系統(tǒng)大幅提高 80Gb/in2 傳感器的產(chǎn)量，并滿足未來 TFMH 設(shè)備制造的需求。
支持各種設(shè)備，從當(dāng)?shù)?/span> CIP 到高 CPP 設(shè)備
MRAM 應(yīng)用以及 GMR 和 TMR 薄膜磁頭的理想選擇
改進(jìn)了所有準(zhǔn)直沉積應(yīng)用的 CD 控制
通過沉積羽流的對(duì)稱到達(dá)獲得更銳利的起飛角度
平臺(tái)易于與 PVD、IBE 和其他技術(shù)集成
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