CME-200E/400 枚葉式PECVD設(shè)備
- 公司名稱 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 ULVAC/日本愛發(fā)科
- 型號 CME-200E/400
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2024/9/6 11:29:22
- 訪問次數(shù) 241
聯(lián)系方式：謝澤雨 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!
| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
1 產(chǎn)品概述:
枚葉式PECVD設(shè)備（盡管此名稱可能非標(biāo)準(zhǔn)），作為PECVD技術(shù)的一種實現(xiàn)方式，其核心在于利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積過程。該設(shè)備通過特定的氣體供應(yīng)系統(tǒng)引入反應(yīng)氣體，利用高頻或微波電源在反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生等離子體，使氣體分子在等離子體中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，最終在基底上沉積形成所需的薄膜材料。設(shè)備通常包括反應(yīng)室、氣體供應(yīng)系統(tǒng)、等離子體激發(fā)系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)和真空系統(tǒng)等關(guān)鍵部件。
2 設(shè)備用途：
枚葉式PECVD設(shè)備（或一般PECVD設(shè)備）的用途廣泛，主要包括但不限于以下幾個方面：
半導(dǎo)體制造：用于生長SiO2、SiNx等材料，作為MOSFET等半導(dǎo)體器件的絕緣層和通道層。
光伏產(chǎn)業(yè)：制備非晶硅、多晶硅等薄膜，用于太陽能電池的光吸收層和透明導(dǎo)電層。
平板顯示器：制備低溫多晶硅薄膜，用于薄膜晶體管面板的薄膜電晶體。
光學(xué)涂層：制備SiO2、Si3N4等材料，用于抗反射膜、硬質(zhì)涂層、光學(xué)濾波器等光學(xué)涂層的制備。
3 設(shè)備特點
枚葉式PECVD設(shè)備（基于PECVD技術(shù)的一般特點）可能具備以下特點：
高效性：等離子體中的高能粒子能顯著加速化學(xué)反應(yīng)，提高薄膜的沉積速率和生產(chǎn)效率。
高質(zhì)量：通過精確控制等離子體參數(shù)和工藝條件，可以制備出高質(zhì)量、高純度的薄膜材料。
靈活性：適用于多種材料的薄膜制備，且可通過調(diào)整工藝參數(shù)實現(xiàn)薄膜性質(zhì)的精確調(diào)控。
環(huán)保性：相比傳統(tǒng)化學(xué)沉積方法，PECVD在制備過程中通常不需要使用有害的化學(xué)試劑，減少了環(huán)境污染。
4 技術(shù)參數(shù)和特點：
•27.12MHz高密度等離子制程
•SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：可對應(yīng)SiO2膜
•以NF3+Ar Plasma實現(xiàn)腔體清潔功能
•可對應(yīng)有機EL（OLED）的低溫成膜用heater
•使用Tray大可搬送□200mm(CME-200E)的基板尺寸(CME-400:可對應(yīng)300×400)
采購中心
化工儀器網(wǎng)