CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)

【基本信息】

中文名稱：碲化銻薄膜

英文名稱：Sb2Te3

純度：99.9%

存儲：-20℃冷藏、密封、避光

保存時間：1年

用途：僅用于科研，不能用于人體

CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)

【詳情描述】

碲化銻（Sb2Te3）：

性質(zhì)： 碲化銻是一種拓?fù)浣^緣體，同時也是一種熱電材料。在薄層形式下，它具有電學(xué)性質(zhì)，表現(xiàn)出拓?fù)浣^緣體行為。

應(yīng)用： Sb2Te3在熱電材料領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，特別是在相變存儲器（Phase Change Memory，PCM）等器件中。

CVD二維薄膜：

CVD（化學(xué)氣相沉積）： CVD是一種通過氣相前體在基底表面沉積薄膜的技術(shù)。在納米科技中，CVD廣泛用于制備二維材料的薄膜。

應(yīng)用： CVD生長的二維薄膜通常具有可控的厚度和晶體質(zhì)量，適用于納米電子學(xué)、光電子學(xué)、傳感器等應(yīng)用領(lǐng)域

【推薦產(chǎn)品】

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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.30.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。