cryoRaman 低溫強磁場拉曼顯微鏡
- 公司名稱 KTIMES TECHNOLOGY LIMITED
- 品牌 其他品牌
- 型號 cryoRaman
- 產(chǎn)地 進口
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2024/8/20 11:07:08
- 訪問次數(shù) 996
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| 價格區(qū)間 | 200萬-300萬 | 儀器種類 | 顯微共焦拉曼光譜 |
|---|---|---|---|
| 應用領(lǐng)域 | 綜合 |
低溫強磁場拉曼顯微鏡
該顯微鏡集成了attocube進的低溫恒溫器和納米定位器技術(shù)，以及WITec公司系列顯微鏡的高靈敏度和模塊化設計。
該系統(tǒng)融合了高分辨率共焦顯微鏡和超靈敏光學元件，用于低溫和強磁場下的顯微拉曼光譜。
cryoRaman是個高度用戶友好的交鑰匙系統(tǒng)，
配有激光源（可提供波長532nm、633nm和785nm，其他可根據(jù)要求提供）、
超高通量光譜儀，包括Peltier 制冷CCD（FI、DD和EMCCD，根據(jù)要求）和進的拉曼控制器/軟件包。
儀器使用套xyz定位器在幾毫米范圍內(nèi)對樣品進行粗略定位，并使用壓電掃描器，即使在低溫下也具有較大的掃描范圍。
拉曼圖像是通過相對于激光焦點對樣品進行掃描并測量每個像素的拉曼信號的光譜分布來獲得的。
這是次，在高磁場中的至低溫度下進行拉曼成像，很容易的獲得很棒的空間、光譜和深度分辨率。
對高溫超導體和其他新材料（如石墨烯）的研究導致了對低溫和高磁場下拉曼顯微鏡的大量需求。
cryoRaman正好滿足這些需求，并允許用戶在寬溫度范圍（1.8至300 K）和高達15 T的磁場下記錄拉曼圖像和拉曼光譜。
在具有強電子-聲子耦合的材料中，如石墨烯，低溫拉曼光譜是研究樣品機械和電子性質(zhì)的非常有效的工具。
復雜的軟件允許分析、排序、平均和后處理光譜，使用戶能夠調(diào)查拉曼征中的細節(jié)和指紋
低溫強磁場拉曼顯微鏡
特點：
→ 以前所未you的分辨率和速度進行光譜成像
→ 每個像素點自動獲取拉曼光譜
→ 低振動閉循環(huán)低溫恒溫器
→ 大磁場下變溫
→ 變溫范圍：1.8K-300K
→ 磁場強度：9T, 12T, 9T-3T, 9T-1T-1T, 5T-2T-2T
→ 應用范圍廣泛: 低溫拉曼與熒光光譜
→ 升功能包含：低波數(shù)與偏振測量
參數(shù)：
功能：
1、WITec 拉曼光譜儀
WITec拉曼光譜儀是超高通量光譜儀（UHTS），為高速高分辨率拉曼成像而開發(fā)。我們提供六種不同焦距的模型，以適應多種激光激發(fā)波長（UV到IR）和光譜分辨率要求。
· UHTS具有高達70%的透射率，門為具有挑戰(zhàn)性的拉曼成像和弱光強光譜應用而設計。 · 每個光譜的采集時間<1 ms。 · 自動三光柵轉(zhuǎn)臺多可容納三個光柵。我們提供多種光柵，以滿足光譜范圍和分辨率的個別要求。 · 多種類型的CCD相機，具有異的量子效率。 |
2、偏振光測量
偏振光控制與分析： · 偏振器使線偏振光的方向旋轉(zhuǎn)或轉(zhuǎn)換成圓偏振光。 · 分析器選擇出射光束的偏振方向。 · 偏振片和分析儀的立旋轉(zhuǎn)，可匹配樣品的晶軸。 · 偏振器和分析儀可以手動和電動配置 |
3、超低波數(shù)檢測升
允許對小于10 cm-1 的超低波數(shù)信號進行拉曼光譜測量 · 提供靠近瑞線的斯托克斯和反斯托克斯拉曼信號的附加信息 · 提供各種激光波長（488、532、633和785 nm）的用濾波器組 |
4. WITec 軟件工作站
· 樣本定位和掃描由新穎直觀的WITec Suite FIVE軟件控制的attocube定位器和掃描器實現(xiàn)。 · WITec套件五包括個強大的軟件環(huán)境，用于數(shù)據(jù)采集、評估和處理，甚至包括大數(shù)據(jù)量和3D掃描。 · 集成向?qū)е笇в脩敉瓿烧麄€實驗，從初始設置和采集到數(shù)據(jù)和圖像后處理，并簡化高質(zhì)量圖像的生成。 · *的手持控制器EasyLink提供了個觸覺和即時界面，用于指導自動平移臺、物鏡轉(zhuǎn)臺、照明和聚焦。 · TrueMatch軟件（可選升）組件可訪問現(xiàn)有拉曼光譜數(shù)據(jù)庫，并開發(fā)新數(shù)據(jù)庫。 |
測試數(shù)據(jù)
■ WSe2樣品低溫拉曼成像與低波數(shù)測量
(a) 低溫拉曼成像，溫度120K。 (b) 不同層數(shù)WSe2的拉曼光譜。(c)低波數(shù)拉曼光譜。
■ 碳納米管低溫拉曼測量：高空間分辨率
(a) 碳納米管拉曼成像，溫度2K。(b，c) 拉曼光強隨空間分布關(guān)系。(c)碳納米管與襯底拉曼光譜。
■ 變溫熒光光譜測量
(a-d) 不同溫度下，WSe2熒光光譜峰位成像。(e)不同溫度下，WSe2熒光光譜數(shù)據(jù)。
■ 低溫與強磁場下，偏振拉曼光譜測量
上圖： 雙層與三層WSe2，偏振拉曼光譜測量。溫度2K。
■ 低溫與強磁場下，偏振拉曼光譜測量
上圖： 單層MoS2，偏振拉曼光譜測量。磁場9T，溫度2K。
■ 不同強度磁場下，偏振拉曼光譜測量
上圖： MoS2材料，不同偏振條件，拉曼光譜強度比圖像。不同磁場強度，溫度2K。
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