BGO晶體 BSO晶體其他光折變晶體
- 公司名稱 冠乾科技（上海）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2023/10/12 13:02:10
- 訪問次數(shù) 339
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| 供貨周期 | 一個月以上 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,電子,汽車 |
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硅酸鉍(Bi)12SiO20，bso)晶體是一種高效率的光導(dǎo)材料，暗導(dǎo)率低，允許大量的光誘導(dǎo)空間電荷的積累。巨大的光電導(dǎo)性和電光特性提高了BSO晶體的應(yīng)用范圍：空間光調(diào)制器、光開關(guān)、相位共軛混合器。Optogama用改進的Czochralski法生長了BSO晶體，其孔徑可達3英寸。
鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(Fe：LiNbO)的LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數(shù)和衍射效率、化學(xué)力學(xué)性能，是一種很有吸引力的光折變材料。Fe：LiNbO3晶體采用Czochralsky法生長，尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調(diào)整特定應(yīng)用的材料性能。更重要的是，F(xiàn)e：Linbo3晶體操作方便，成本低，適合批量生產(chǎn)。
SBN晶體具有優(yōu)良的光學(xué)和光折變性能。它們表面上是純的，被Ce，Cr，Co或Fe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體，采用改進的Stepanov法生長，線性尺寸可達40 mm。
鍺酸鉍（Bi12GeO20，BGO）晶體是具有低暗電導(dǎo)率的高效光電導(dǎo)體，可以積累大量光致空間電荷。
硅酸鉍晶體主要特點：
-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)
-高相位共軛效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根據(jù)要求定制
BSO晶體主要應(yīng)用：
-空間光調(diào)制器
-光開關(guān)
-相位共軛混合器。
鈮酸鋰晶體主要特點：
-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)
-高相位共軛效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根據(jù)要求定制
LiNbO3晶體的主要應(yīng)用：
-空間光調(diào)制器
-光開關(guān)
-全息記錄
-光波導(dǎo)
SBN晶體的主要特點：
-Ce，Cr，Co，F(xiàn)e純摻雜
-有效相位共軛
-定制尺寸，摻雜水平，無極化，減反射涂層和沒有電極晶體可根據(jù)要求
SBN晶體的主要應(yīng)用：
-光學(xué)信息記錄
-熱釋電探測器
-自泵浦自共軛鏡
-光學(xué)相關(guān)器
BGO晶體的主要特點：
-高電光系數(shù)(r41=3，5 pm/v)
-低暗電導(dǎo)
-大尺寸元件或晶片最多可達3“
-可根據(jù)要求定制
BGO晶體的主要應(yīng)用：
-空間光調(diào)制器
-光開關(guān)
-光學(xué)相關(guān)器
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