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          III-V族外延晶片

          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱 深圳市唯銳科技有限公司
          • 品牌 其他品牌
          • 型號(hào)
          • 產(chǎn)地
          • 廠商性質(zhì) 代理商
          • 更新時(shí)間 2024/10/9 16:57:44
          • 訪問次數(shù) 980

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          深圳市唯銳科技有限公司是一家國家高新技術(shù)企業(yè)、專精特新創(chuàng)新型企業(yè),也是國內(nèi)出色的光電產(chǎn)品和解決方案供應(yīng)商。我們的團(tuán)隊(duì)具有多年的光電行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn),長期為高等院校、科研院所、航天軍工以及企業(yè)客戶,提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和解決方案,促進(jìn)國內(nèi)光電產(chǎn)業(yè)的升級(jí)和國際化。

          唯銳科技一直關(guān)注光電前沿技術(shù),提供的產(chǎn)品和服務(wù)涵蓋: 光源(DFB/FP/ICL/QCL激光器、超輻射發(fā)光二極管SLD、中紅外LED、可見光-紫外激光二極管、飛秒激光器);探測器(碲鎘汞MCT/InAs/nAsSb探測器、InGaAs探測器、InAs/lnAsSb II型超晶格探測器、平衡探測器);量子技術(shù)(單光子探測器、計(jì)數(shù)模塊、MOT磁光阱控制模塊);光纖和探頭(高溫鍍銅鍍金光纖、中紅外光纖、光纖探頭);模塊、系統(tǒng)及整機(jī)(激光驅(qū)動(dòng)、溫控模塊、TDLAS系統(tǒng)、FTIR光譜儀、放射性碳分析儀C14-SCAR);III-V族外延晶圓(VCSEL晶圓、InGaAs晶圓、QCL晶圓)。產(chǎn)品主要應(yīng)用于:高靈敏度激光氣體分析、紅外探測、光纖光譜、醫(yī)療健康、超快光譜、量子技術(shù)、激光加工、航天軍工、科學(xué)研究等領(lǐng)域。

           

           

          nanoplus激光器,DFB激光器,ICL激光器,QCL激光器,VIGO碲鎘汞探測器,InAsSb探測器,單光子探測器,單光子計(jì)數(shù)卡,金屬涂層高溫光纖,中紅外光纖,空芯光纖,透反射探頭,熒光探頭,環(huán)形光探頭,III-V族外延晶圓,ARCoptix傅里葉紅外光譜儀

          供貨周期 兩周 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工

          III-V族外延晶片 波蘭VIGO公司成立于1993年,擁有一支超過30年紅外探測器研究經(jīng)驗(yàn)的資深專家隊(duì)伍,是MCT/InAs/InAsSb探測器的設(shè)計(jì)者和制造商,提供低溫制冷的紅外探測器、III-V族外延片,覆蓋1-16μm光譜范圍,同時(shí)提供探測器模塊、前置放大器、TEC溫控等組件和解決方案。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。

          產(chǎn)品介紹

          VIGO的ENT外延部門生產(chǎn)III-V(GaAs-,InP-)相關(guān)的半導(dǎo)體化合物,在外延方面有35年的經(jīng)驗(yàn),并且能夠根據(jù)客戶需求提供定制服務(wù)。VIGO利用MOCVD外延技術(shù)制備了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半導(dǎo)體的原子工程外延層,具有德國柏林廠商Laytec的監(jiān)控生產(chǎn)系統(tǒng),擁有水平層流反應(yīng)器,進(jìn)行基片載流子的多次旋轉(zhuǎn)產(chǎn)品。這條新產(chǎn)品線擴(kuò)展了VIGO公司的產(chǎn)品組合,為各種微電子和光子應(yīng)用提供外延服務(wù),下游的應(yīng)用包含三極管,二極管,激光器,探測器等。具有以下特點(diǎn):

          • 外延納米技術(shù),超越單一技術(shù)解決方案

          • 大規(guī)模生產(chǎn)或小批量制造,提供多類優(yōu)質(zhì)外延片

          • 生產(chǎn)的高級(jí)III-V族化合物半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu),被廣泛運(yùn)用于光子設(shè)備(F-P、VCSEL、QCL激光器、光電探測器)、微電子設(shè)備(二極管、晶體管)

          • 聚焦無線、電信、傳感或打印領(lǐng)域的高度創(chuàng)新型產(chǎn)品,可提供全面的研發(fā)服務(wù)。

          III-V族外延晶片主要特點(diǎn)

          • 超高純度

          • 精確控制厚度在±1nm

          • 優(yōu)秀的均勻性

          • 重現(xiàn)性

          • 可外延尺寸 2, 3, 4,8英寸

          產(chǎn)品性能

          XRD曲線:

          產(chǎn)品純度一致性:

          表面粗糙度:

          量子井:

          產(chǎn)品應(yīng)用

          半導(dǎo)體類型:

          • 場效應(yīng)晶體管,被動(dòng)器件,高遷移率晶體管

          • EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots

          • LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness

          • InGaAs, AlGaAs探測器,SWIR, LWIR

          外延晶圓類型:

          • GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P

          • InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y

           

          GAAS BASED PRODUCTS INP BASED PRODUCTS
          AlGaAs/GaAs QW edge emitting lasers

           

          VCSELs

          FETs, HEMTs, Schottky diodes

          varactors

          InGaAsP/InP strained or matched QW edge emitting
          lasers and SOAs 1300 – 1600nm
          GaAsP/GaAs strained QW edge emitting lasers InGaAs/InP QW edge emitting lasers
          InGaAsP/GaAs QW lasers 808nm InGaAsP/InP VCSEL structures
          InGaAs/AlGaAs/GaAs strained QW lasers InAlGaAs/InP edge emitting and VCSEL structures
          InAs/GaAs QD lasers InGaAsP/InP passive devices
          AlGaAs/GaAs passive waveguides InGaAs photodetectors
          Manufactured to specification InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
          Manufactured to specification

           

           

           



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