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          FS650 超聲波霧化噴涂設(shè)備 太陽能燃料電池涂層

          參考價 200000
          訂貨量 ≥1
          具體成交價以合同協(xié)議為準
          • 公司名稱 杭州泛索能超聲科技有限公司
          • 品牌 泛索能
          • 型號 FS650
          • 產(chǎn)地 杭州
          • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
          • 更新時間 2024/11/26 14:26:13
          • 訪問次數(shù) 972

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          杭州泛索能超聲科技有限公司成立于2018年,由多位在大功率超聲波領(lǐng)域均超過10年實戰(zhàn)經(jīng)驗的專家創(chuàng)立,已與國內(nèi)外超過500家在各行業(yè)的研究院所、高校、企業(yè)進行了深度合作、研發(fā)、生產(chǎn),產(chǎn)品擁有強大的核心競爭力。

          我們一直致力于超聲波精密噴涂應(yīng)用及成套設(shè)備解決方案,集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、售后為一體。我們一貫以豐富的行業(yè)經(jīng)驗、用非常適合客戶的解決方案幫助客戶解決任何難題,向所有用戶提供完善的解決方案以及高品質(zhì)的產(chǎn)品。主要產(chǎn)品及服務(wù)包括超聲霧化噴涂設(shè)備、超聲波液體處理設(shè)備、超聲波涂銦設(shè)備、超聲波金屬熔液處理、超聲波焊接設(shè)備、超聲波切割設(shè)備以及超聲波核心配件。

          我們牢記使命、質(zhì)量優(yōu)先、勇于創(chuàng)新,產(chǎn)品已獲得多項國家專項。我們深耕于超聲波應(yīng)用行業(yè),促進國內(nèi)超聲應(yīng)用的快速發(fā)展,積極填補超聲應(yīng)用空白。





          超聲波霧化噴涂系統(tǒng),超聲波液體處理系統(tǒng)(萃取/乳化/分散/破碎等),超聲波切割設(shè)備,超聲波塑料焊接設(shè)備,超聲波浸焊設(shè)備(搪錫/涂銦)等。

          應(yīng)用領(lǐng)域 食品,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子

          噴涂作為一種表面處理方式已被廣泛應(yīng)用于各個行業(yè),超聲波噴涂機雖然是所有噴涂機里相對昂貴的一種,但它帶來的經(jīng)濟效益和優(yōu)秀表現(xiàn)是其他噴涂機可以比擬的。

          超聲波霧化噴涂設(shè)備 太陽能燃料電池涂層技術(shù)用于光伏晶體硅 (c-Si) 和薄膜應(yīng)用。與化學(xué)氣相技術(shù) (CVD)、濺射、旋涂、輥涂和霧涂技術(shù)相比,超聲波噴涂技術(shù)可以是在太陽能電池上沉積薄膜涂層的更具成本效益的方法。由于霧化液滴的高度均勻性和它們在涂覆過程中的低速度,可以在 c-Si 和薄膜太陽能薄膜電池上形成高度均勻的微米厚層。減少浪費或過度噴涂的額外好處也可以顯著節(jié)省材料。

          超聲波霧化噴涂設(shè)備 太陽能燃料電池涂層技術(shù)用于以下化學(xué)品:

          摻雜劑、吸收劑、緩沖劑、有機物等

          硼酸摻雜劑
          氯化鎘 (CdTe) 吸收劑
          硫化鎘 (CdS) – 用于 CIGS、CdTe 電池的緩沖層
          硒化銅銦鎵 (CIGS 或 CIS) 吸收劑
          硫化銅鋅錫 ( CZTS ) 吸收劑
          染料敏化有機太陽能電池 ( DSC, DSSC或 DYSC )
          P3HT?
          PEDOT
          PCBM
          發(fā)射極形成中的磷酸基摻雜劑

          量子點 (QD)

          超聲波噴涂已成功用于噴涂各種量子點。ZnO 薄膜和 CdS 量子點均已使用超聲噴霧熱解沉積技術(shù)制備,成本僅為 CVD 和濺射方法的一小部分。

          透明導(dǎo)電氧化物 (TCO)

          二氧化錫 (SnO2)
          氧化銦錫 ( ITO )
          氧化鋅 (ZnO) 作為 DSC 應(yīng)用中的納米線
          碳納米管 (CNT)
          銀納米線 (AGNW)
          石墨烯

          減反射 (AR) 涂層

          二氧化硅
          二氧化tai












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