customized 化學機械拋光機CMP
- 公司名稱 深圳市矢量科學儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 customized
- 產(chǎn)地 德國
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2024/9/6 17:04:26
- 訪問次數(shù) 1854
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1. 產(chǎn)品概述:
MCF 的化學機械拋光機 CMP 是一種用于半導體制造等領(lǐng)域的關(guān)鍵設備,主要通過機械研磨和化學液體溶解 “腐蝕” 的綜合作用,對半導體材料(如晶圓)進行研磨拋光,以實現(xiàn)材料表面的平坦化處理,為后續(xù)的半導體器件制造工序(如光刻、蝕刻等)提供高質(zhì)量的平整表面。
2. 設備應用:
· 半導體集成電路制造:在半導體芯片的生產(chǎn)過程中,用于對晶圓進行平坦化拋光,確保晶圓表面的平整度和光潔度,滿足芯片制造中對多層結(jié)構(gòu)和精細線路的要求,例如在邏輯芯片、存儲芯片等的制造中,CMP 是實現(xiàn)高性能芯片的重要工藝環(huán)節(jié)。
· 其他電子元件制造:對于一些對表面平整度要求較高的電子元件,如光電器件、MEMS 器件等,該化學機械拋光機也可用于其制造過程中的表面處理,提升元件的性能和可靠性。
3. 設備特點:
1. 該化學機械拋光機可用于各類半導體集成電路、氧化物、金屬、STI、SOI等產(chǎn)品的CMP平坦化拋光。 通過更換拋光頭可兼容4、6、8英寸晶圓
2. 系統(tǒng)功能:手動上下片,程序自動進行拋光,配有終點監(jiān)測裝置,配置半自動loading & unloading托盤系統(tǒng),8寸規(guī)格,方便8寸晶圓上下片
3. 拋光數(shù)據(jù)監(jiān)測:具有摩擦力監(jiān)測功能
4. 配備紅外溫度計實時監(jiān)測拋光過程中拋光墊表面溫度
4. 產(chǎn)品參數(shù):
1. 拋光盤直徑≥20inch(508mm) 轉(zhuǎn)速范圍:30-200rpm
2. 拋光頭wafer加壓方式:氣囊加壓,帶有背壓功能
3. wafer壓力控制范圍:70-500g/cm2
4. 保持環(huán)壓力控制范圍:70-700g/cm2
5. 拋光頭轉(zhuǎn)速范圍:30-200rpm 擺動幅度:±10mm
6. 拋光液供應系統(tǒng):3個可調(diào)流量蠕動泵供液,3路獨立的拋光液通道,滴液位置可調(diào)
7. 配置摩擦力&溫度終點監(jiān)控系統(tǒng):含專用監(jiān)測軟件,帶有End point detection功能
8. 控制系統(tǒng):PC工控機控制,觸摸屏操作,可存儲20個加工程序,加工程序最多可設6個不同加工階段
9. 均勻性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)
片內(nèi)非均勻性WIWNU≤5%
片間非均勻性WTWNU≤5%
實際參數(shù)可能會因設備的具體配置和定制需求而有所不同。