6MBP150RTS120 FUJITSU富士通芯片存儲器用于半導體
- 公司名稱 上海菱聯(lián)自動化控制技術(shù)有限公司
- 品牌 FUJITSU/富士通
- 型號 6MBP150RTS120
- 產(chǎn)地 日本
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2024/7/8 20:57:36
- 訪問次數(shù) 919
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上海菱聯(lián)自動化控制技術(shù)有限公司是一家專注于工業(yè)自動化產(chǎn)品銷售及其工程設(shè)計的科技企業(yè)，公司下設(shè)技術(shù)研發(fā)部，市場銷售部，商務物流部，財務部等專職部門，公司專業(yè)經(jīng)營伺服電機、運動控制器、變頻器、PLC、傳感器、觸摸屏、減速機、電磁閥、編碼器、小馬達、張力糾偏控制等產(chǎn)品，因良好的技術(shù)支持和服務，在華東地區(qū)取得了較大的度。
| 品牌 | FUJITSU | 型號 | 6MBP150RTS120 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地 | 日本 | 庫存數(shù)量 | 108825片 |
| 單位 | 片 | 發(fā)貨方法 | 快遞 |
| 參數(shù) | 詳見說明書 | 工作環(huán)境溫度范圍 | -40°C至+125°C |
FUJITSU富士通芯片存儲器用于半導體6MBP150RTS120 我們的優(yōu)勢：存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。隨著萬物智聯(lián)時代的到來，
人工智能、智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求，促使新型存儲器迅速發(fā)展，影響未來存儲器市場格局。目前，
新型存儲器主要有4種：相變存儲器（PCM），鐵電存儲器（FeRAM），磁性存儲器（MRAM）和阻變存儲器（ReRAM）。
其中，F(xiàn)eRAM是一種理想的存儲器，在計算機、航天航空、軍工等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景，世界上許多大的半導體公司對此都十分重視。
代理品牌富士通半導體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工
作頻率下實現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率，并具有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。本產(chǎn)品具有高速運算和非易失性的特點，
非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)重寫的可編程邏輯控制器(PLC)和路由器等工業(yè)計算和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。
20 多年來，富士通半導體已量產(chǎn)的 FeRAM 產(chǎn)品，與 EEPROM 和閃存相比，具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。到目前為止，這些高可靠性產(chǎn)品已成功應用于工業(yè)、基礎(chǔ)設(shè)施、消費和汽車領(lǐng)域。
FUJITSU富士通芯片存儲器用于半導體6MBP150RTS120 提供各產(chǎn)品信息服務:此外，一些客戶一直在要求 FeRAM 可以在非易失性存儲器的同時進行快速數(shù)據(jù)傳輸。我們很高興能夠通過 Quad SPI 4Mbit FeRAM 產(chǎn)品滿足這一要求。
MB85RQ4ML采用Quad SPI接口和1.8V電源電壓，在108MHz工作頻率下數(shù)據(jù)傳輸速率為54MB/s。在此產(chǎn)品發(fā)布之前，
具有 16 個 I/O 引腳的并行接口的 4Mbit FeRAM 是最快的 FeRAM，具有 13MB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速度。然而，MB85RQ4ML
只有四個 I/O 管腳，讀寫數(shù)據(jù)大約是并行接口 FeRAM 的 4 倍(圖3)。 其封裝為 16pin SOP，封裝尺寸為 7.5mm x 10.3mm。
數(shù)據(jù)傳輸率比較
如果您在產(chǎn)品中使用閃存、EEPROM 或低功耗 SRAM，并且遇到以下任何問題，請考慮使用富士通半導體的 FeRAM 解決方案。
狀態(tài)：使用閃存 問題：由于寫入耐久性較低，軟件開發(fā)負擔較大
閃存保證幾十萬次的寫周期。如果數(shù)據(jù)被多次寫入內(nèi)存中的同一區(qū)域，該區(qū)域很快就會達到保證寫入周期時間的上限。
因此，設(shè)計工程師必須開發(fā)一種名為“wear leveling”的軟件來分配內(nèi)存區(qū)域中的寫入位置，以使數(shù)據(jù)不會多次寫入同一位置。
軟件開發(fā)的工作量對設(shè)計工程師來說是一個非常大的負擔。而 FeRAM 保證 10 萬億次讀/寫周期，并且數(shù)據(jù)可以像低功耗 SRAM 一樣被覆蓋到內(nèi)存區(qū)域。
這些功能有助于設(shè)計工程師，因為工程師不需要開發(fā)復雜的數(shù)據(jù)寫入軟件，例如磨損均衡
磨損均衡示意圖
狀態(tài)：使用 EEPROM 問題：數(shù)據(jù)寫入時間較長
EEPROM 即使是 8 位數(shù)據(jù)寫入也有 5ms 的寫入周期時間，因為它除了寫入操作之外還包括擦除操作。另一方面，F(xiàn)eRAM 具有較短的寫入時間，例如在 8 位數(shù)據(jù)寫入時為數(shù)百納秒，因為它不需要擦除操作（圖5）。此外，帶有 SPI 接口的 EEPROM 在最高 20MHz 的工作頻率下具有 2.5Mbyte/s 的數(shù)據(jù)傳輸率。而富士通半導體的 Quad SPI FeRAM 有 54Mbyte/s，是 EEPROM 的 20 倍以上。
寫入時間比較
狀態(tài)：使用 SRAM 問題：難以取出電池并減少組件安裝面積
低功耗 SRAM 需要電池來保存數(shù)據(jù)以保存寫入的數(shù)據(jù)，但由于非易失性存儲器，F(xiàn)eRAM 不需要電池。然后，由于 SRAM 有 16 個 I/O 引腳，許多 SRAM 采用 44pin TSOP 封裝形式，但 MB85RQ4ML 采用 16pin SOP 封裝，具有 4 個 I/O 引腳。這意味著，如果您將 SRAM 替換為 FeRAM，您可以通過移除電池并使用更小的封裝來減少 77% 的內(nèi)存安裝面積
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MB96345YWAPQC-GSE2
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6MBP150RTS120
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MB85RC04V
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