一、核心參數(shù)：

　　價格區(qū)間：100萬-200萬

　　產(chǎn)地類別：國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)（ALD）

　　襯底尺寸：6寸

　　工藝溫度：RT-300℃

　　前驅體數(shù)：最大可包括3組等離子體反應氣體，8組液體或固體反應前驅體

　　重量：300KG

　　尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm

　　均勻性：99%

　　二、原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內(nèi)并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。

　　三、產(chǎn)品描述：

　　廈門韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)（QBT-T），設備采用雙腔體設計，腔體之間可實現(xiàn)獨立控制，雙倍產(chǎn)出。腔體分別為PEALD腔室，粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的設計，使設備可以在平片上實現(xiàn)等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝，設備配有獨立控制的300℃完整加熱反應腔室系統(tǒng)，保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動溫度控制、ALD前驅體源鋼瓶、自動溫度控制閥、工業(yè)級安全控制，以及現(xiàn)場RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱、極片架等設計選項。是*能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導體領域研究與應用的最佳研發(fā)工具之一。

　　四、廈門韞茂科技有限公司為您提供雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)QBT-T的參數(shù)、價格、型號、原理等信息，QBT-T產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂，型號為QBT-T，價格為100萬-200萬RMB，更多相關信息可咨詢，公司客服電話7*24小時為您服務。

　　五、技術參數(shù)：