IGBT動(dòng)/靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
參考價(jià) | ¥ 200000 |
訂貨量 | ≥1臺(tái) |
- 公司名稱 上海簡(jiǎn)戶儀器設(shè)備有限公司【環(huán)境試驗(yàn)箱|冷熱沖擊|高低溫試驗(yàn)箱】
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 上海金山區(qū)上海金山區(qū)亭林工業(yè)園區(qū)亭誼路號(hào)簡(jiǎn)戶科技園近南亭公路亭林工業(yè)園區(qū)亭誼路號(hào)簡(jiǎn)戶科技園近南亭公路
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/9/19 17:36:41
- 訪問(wèn)次數(shù) 1083
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試驗(yàn)箱,試驗(yàn)機(jī),恒溫恒濕箱,鹽霧試驗(yàn)箱,振動(dòng)臺(tái),跌落試驗(yàn)機(jī),冷熱沖擊箱,模擬運(yùn)輸臺(tái),生化培養(yǎng)箱、藥品穩(wěn)定性箱
產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
---|---|---|---|
型號(hào) | VR?-?HTGB | 溫度偏差 | ≤±2℃(空載) |
重?量 | 500kg | MTBF | ?8000小時(shí) |
IGBT動(dòng)/靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(BipolarJunctionTransistor,BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor,MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GiantTransistor,GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗,低導(dǎo)通壓降,高速開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn),非常適合高電壓和高電流的光伏逆變器、儲(chǔ)能裝置和新能源汽車等電力電子應(yīng)用
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