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          產(chǎn)品展廳

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          化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>光學(xué)儀器及設(shè)備>電子顯微鏡>原位樣品桿/臺(tái)> 透射電鏡高溫力電原位系統(tǒng)

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          透射電鏡高溫力電原位系統(tǒng)

          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱 廈門(mén)超新芯科技有限公司
          • 品牌 CHIPNOVA
          • 型號(hào)
          • 產(chǎn)地
          • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
          • 更新時(shí)間 2023/12/27 10:04:53
          • 訪問(wèn)次數(shù) 1819

          聯(lián)系方式:邱惠新查看聯(lián)系方式

          聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


           

          超新芯(CHIPNOVA)是早期原位芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)研究者,擁有MEMS芯片制造和原位電鏡方面的資深團(tuán)隊(duì),10余年來(lái)技術(shù)不斷迭代升級(jí),在電鏡中實(shí)現(xiàn)了液、氣體微環(huán)境引入及光、電、力、熱等外場(chǎng)控制與高時(shí)空分辨顯微研究。相關(guān)系統(tǒng)在材料、能源、環(huán)境、化學(xué)、生物等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,促進(jìn)了人類對(duì)微觀世界的探索,推動(dòng)了相關(guān)領(lǐng)域的科技進(jìn)步。

          除了繼續(xù)深耕原位電子顯微等科研領(lǐng)域,做世界優(yōu)秀的科研產(chǎn)品供應(yīng)商;超新芯(CHIPNOVA)也正將相關(guān)技術(shù)延伸應(yīng)用于智慧物聯(lián)、大健康等民用領(lǐng)域,產(chǎn)品涵蓋提供智慧牧場(chǎng)方案的智能項(xiàng)圈、監(jiān)測(cè)實(shí)時(shí)血糖狀況的CGM,為國(guó)人提供高品質(zhì)的技術(shù)與服務(wù)。

           

          原位液相,原位氣相,真空加熱,原位電化學(xué),原位光學(xué),原位力學(xué),原位冷凍

          適用電鏡 Thermo?Fisher/FEI,?JEOL,?Hitachi

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          我們的優(yōu)勢(shì)

          力學(xué)性能

          1.高精度壓電陶瓷驅(qū)動(dòng),納米級(jí)別精度數(shù)字化精確定位。

          2.實(shí)現(xiàn)1000℃加熱條件下壓縮、拉伸、彎曲等微觀力學(xué)性能測(cè)試。

          3.nN級(jí)力學(xué)測(cè)量噪音。

          4.具備連續(xù)的載荷-位移-時(shí)間數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)自動(dòng)收集功能。

          5.具備恒定載荷、恒定位移、循環(huán)加載控制功能,適用于材料的蠕變特性、應(yīng)力松弛、疲勞性能研究。


          優(yōu)異的熱學(xué)性能

          1.高精密紅外測(cè)溫校正,微米級(jí)高分辨熱場(chǎng)測(cè)量及校準(zhǔn),確保溫度的準(zhǔn)確性。

          2.超高頻控溫方式,排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響,測(cè)量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確。

          3.采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲(非陶瓷材料),既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料,其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系,加熱區(qū)覆蓋整個(gè)觀測(cè)區(qū)域,升溫降溫速度快,熱場(chǎng)穩(wěn)定且均勻,穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.1℃。

          4.采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式,高頻反饋控制消除誤差,控溫精度±0.01 ℃。

          5.多級(jí)復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計(jì),控制加熱過(guò)程熱擴(kuò)散,極大抑制升溫過(guò)程的熱漂移,確保實(shí)驗(yàn)的高效觀察。


          優(yōu)異的電學(xué)性能

          1.芯片表面的保護(hù)性涂層保證電學(xué)測(cè)量的低噪音和精確性,電流測(cè)量精度可達(dá)皮安級(jí)

          2.MEMS微加工特殊設(shè)計(jì),同時(shí)加載電場(chǎng)、熱場(chǎng)、力學(xué),相互獨(dú)立控制。


          智能化軟件

          1.人機(jī)分離,軟件遠(yuǎn)程控制納米探針運(yùn)動(dòng),自動(dòng)測(cè)量載荷-位移數(shù)據(jù)。

          2.自定義程序升溫曲線。可定義10步以上升溫程序、恒溫時(shí)間等,同時(shí)可手動(dòng)控制目標(biāo)溫度及時(shí)間,在程序升溫過(guò)程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫,可即時(shí)調(diào)整實(shí)驗(yàn)方案,提升實(shí)驗(yàn)效率。

          3.內(nèi)置絕對(duì)溫標(biāo)校準(zhǔn)程序,每塊芯片每次控溫都能根據(jù)電阻值變化,重新進(jìn)行曲線擬合和校正,確保測(cè)量溫度精確性,保證高溫實(shí)驗(yàn)的重現(xiàn)性及可靠性。



          技術(shù)參數(shù)

          類別項(xiàng)目參數(shù)
          基本參數(shù)桿體材質(zhì)高強(qiáng)度鈦合金
          控制方式高精度壓電陶瓷
          傾轉(zhuǎn)角α≥±20°,傾轉(zhuǎn)分辨率<0.1°(實(shí)際范圍取決于透射電鏡和極靴型號(hào))
          適用電鏡Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi
          適用極靴ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP
          (HR)TEM/STEM支持
          (HR)EDS/EELS/SAED支持











          應(yīng)用案例




          600°C高溫下銅納米柱力學(xué)壓縮實(shí)驗(yàn)

          以形狀尺寸微小或操作尺度極小為特征的微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS)越來(lái)越受到人們的高度重視 , 對(duì)于尺度在 100μm 量級(jí)以下的樣品 , 會(huì)給常規(guī)的拉伸和壓縮試驗(yàn)帶來(lái)一系列的困難。納米壓縮實(shí)驗(yàn) , 由于在材料表面局部體積內(nèi)只產(chǎn)生很小的壓力 , 正逐漸成為微 / 納米尺度力學(xué)特性測(cè)量的主要工作方式。因此 , 開(kāi)展微納米尺度下材料變形行為的實(shí)驗(yàn)研究十分必要。為了研究單晶面心立方材料的微納米尺度下變形行為 , 以納米壓縮實(shí)驗(yàn)為主要手段 , 分析了銅納米柱初始塑性變形行為和晶體缺陷對(duì)單晶銅初始塑性變形的影響。結(jié)果表明銅柱在納米壓縮過(guò)程中表現(xiàn)出更大程度的彈性變形。同時(shí)對(duì)壓縮周圍材料發(fā)生凸起的原因和產(chǎn)生的影響進(jìn)行了分析 , 認(rèn)為銅納米柱壓縮時(shí)周圍材料的凸起將導(dǎo)致納米硬度和測(cè)量的彈性模量值偏大。為了研究表面形貌的不均勻性對(duì)銅納米柱初始塑性變形行為的影響 , 通過(guò)加熱的方法 , 在銅納米柱表面制備得到納米級(jí)的表面缺陷 , 并對(duì)表面缺陷的納米壓縮實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析 , 結(jié)果表明表面缺陷的存在會(huì)極大影響銅納米柱初始塑性變形。通過(guò)透射電子顯微鏡 ,銅納米柱壓縮點(diǎn)周圍的位錯(cuò)形態(tài)進(jìn)行了觀察 , 除了觀察到納米壓縮周圍生成的位錯(cuò) , 還發(fā)現(xiàn)有層錯(cuò)、不全位錯(cuò)及位錯(cuò)環(huán)的共存。表明銅納米柱的初始塑性變形與位錯(cuò)的發(fā)生有密切的聯(lián)系。























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