O2流量為0.8sccm、1.0sccm、1.2sccm時直流和射頻制備的薄膜均呈透明狀且表面均勻致密，常溫下不同O2流量制備的Al2O3薄膜均為非晶態(tài)。　　在單因素試驗研究的基礎(chǔ)上設(shè)計正交試驗，繼續(xù)深入研究直流、射頻方法下，濺射靶功率、O2流量、工作氣壓的綜合變化對Al2O3薄膜濺射沉積速率的影響，并對正交試驗結(jié)果進(jìn)行極差與方差分析。獲取了較優(yōu)的直流、射頻薄膜制備工藝參數(shù)并進(jìn)行薄膜的制備，對制備薄膜的沉積時間、薄膜表面粗糙度、薄膜的復(fù)合硬度進(jìn)行檢測并對比分析，選定了優(yōu)化后的直流濺射工藝參數(shù)并實施Al2O3薄膜的制備。通過對制備的薄膜進(jìn)行掃描電鏡觀測和能譜檢測，驗證了所選工藝參數(shù)的合理性。對常溫下不銹鋼基底上制備的Al2O3薄膜進(jìn)行退火處理，測試分析退火溫度對薄膜晶體結(jié)構(gòu)影響，結(jié)果表明:與常溫制備薄膜相比，退火溫度800℃時出現(xiàn)γ-Al2O3晶體結(jié)構(gòu)，奧氏體相消失，退火溫度1000℃時出現(xiàn)α-Al2O3晶體結(jié)構(gòu)和金屬間化合物AlFe?！　±帽∧鞲衅鞯慕Y(jié)構(gòu)要求與傳感器薄膜的性能要求探索了制備Al2O3絕緣膜的工藝方法，得出了濺射靶功率、O2流量、工作氣壓、負(fù)偏壓和本底真空度等因素對直流和射頻濺射沉積薄膜性能等的影響規(guī)律，改進(jìn)并優(yōu)化了Al2O3薄膜制備工藝，結(jié)合退火工藝得出了退火溫度對Al2O3薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律。

            三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD

應(yīng)用領(lǐng)域：

離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛，通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象，并提高觀測效率，另外可以使用噴碳附件對樣品進(jìn)行蒸碳，實現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。

  三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù)；