FPSEM-ICP200D 等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)
- 公司名稱 孚光精儀(中國)有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 FPSEM-ICP200D
- 產地
- 廠商性質 經銷商
- 更新時間 2024/8/1 10:46:32
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等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)是采用PECVD技術專業(yè)為介質膜鍍膜設計的化學氣相沉積設備。
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)通過優(yōu)化供氣系統(tǒng),改進了較小的反應堆體積,可顯著提高工藝的均勻性和再現(xiàn)性,并減少泵送時間。
由于可以方便地訪問所有內部組件,因此
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)的日常維護變得更加容易。特殊的底電極設計,為PECVD提供了紅外高溫計精確的晶片加熱控制。
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)等離子體產生采用帶自動匹配單元的平板式ICP源。晶圓放在加熱的工作臺電極上,在這里可以施加高達600W的RF(13,56 MHz)或LF(300÷500 kHz)偏置電壓。在ICP模式下,在加熱臺上使用低頻電勢,確保了在沉積過程中調節(jié)介質膜張力的額外可能性。
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)規(guī)格參數
工藝過程反應器中的極限壓力:<5×10
-6Torr
一次性處理晶圓數量::7個@2'', 4個@3'', 1個×∅200mm, 1個@∅150mm 1個@∅100mm
ICP發(fā)生器最大功率:1200W @13.56MHz
離子束粒(離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度: 可選配
蝕刻不均性:+/-1% (從中心位置到邊緣,∅100mm)
過程:自動化把晶圓轉移到反應器中。
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