Pluto-MC 真空等離子體涂覆（鍍膜）設(shè)備 

產(chǎn)品簡介：

Pluto-MC利用等離子體改性時，將試樣置于特定的離子處理裝置中，通過高能態(tài)的等離子轟擊試樣的表面，將能量傳遞給試樣表層的分子，使試樣發(fā)生熱蝕、交聯(lián)、降解和氧化反應(yīng)，并使試樣表面發(fā)生C-F鍵和C-C鍵的斷裂，產(chǎn)生大量自由基或引進(jìn)某些極性基團(tuán)，從而優(yōu)化試樣表面的性能。

Pluto-MC 真空等離子體涂覆（鍍膜）設(shè)備 

產(chǎn)品特點(diǎn)：

Pluto-MC利用等離子體改性時，將試樣置于特定的離子處理裝置中，通過高能態(tài)的等離子轟擊試樣的表面，將能量傳遞給試樣表層的分子，使試樣發(fā)生熱蝕、交聯(lián)、降解和氧化反應(yīng)，并使試樣表面發(fā)生C-F鍵和C-C鍵的斷裂，產(chǎn)生大量自由基或引進(jìn)某些極性基團(tuán)，從而優(yōu)化試樣表面的性能。

等離子體對其改性的主要途徑是引發(fā)表面接枝，具體方法是用非聚合氣體(如Ar,H2,O2,N2和空氣等)對樣品表面進(jìn)行等離子體處理，使其表而形成活性自由基，之后利用活性自由基引發(fā)功能性單體，使其在表面進(jìn)行接枝聚合

利用沉淀反應(yīng)進(jìn)行表面改性,這是工業(yè)上目前應(yīng)用多的方法。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1.    在現(xiàn)有設(shè)備基礎(chǔ)上，增加涂覆組件，可升級配置

2.    高精度控制，多參數(shù)設(shè)置，可控性佳

3.    已經(jīng)有成熟的應(yīng)用，可提供疏水涂覆材料

4.    都有電極間距可調(diào)設(shè)計，反應(yīng)程度可控，有效控制涂覆效率

5.    可根據(jù)客戶需求，定制和設(shè)計工藝

系統(tǒng)組件設(shè)有儲料腔、加熱裝置、保溫裝置和流量控制裝置。
 儲料腔設(shè)計為可拆結(jié)構(gòu)，便于清洗和更換不同的原料；
 加熱裝置可氣化反應(yīng)物質(zhì)，并保持一定溫度；

流量控制裝置對反應(yīng)物進(jìn)行流量控制，使氣氛按需要的氣量喂入到反應(yīng)腔內(nèi)

技術(shù)參數(shù)：

● 加液容積：10-150ml

● 溫控范圍：加熱（室溫~200℃）保溫（室溫~200℃）
● 流量控制：轉(zhuǎn)子流量計
● 管路：多4路氣體（同時可通入4種物質(zhì)）

● 電源電壓：交流220V