硅穿孔工藝設(shè)備-光刻機(jī)
- 公司名稱 科睿設(shè)備有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/8/26 14:18:08
- 訪問次數(shù) 1536
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光刻機(jī),鍍膜機(jī),磁控濺射鍍膜儀,電子束蒸發(fā)鍍膜儀,開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測量),氣溶膠設(shè)備,氣溶膠粒徑譜儀,等離子增強(qiáng)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),原子層沉積系統(tǒng)(ALD),快速退火爐,氣溶膠發(fā)生器,稀釋器,濾料測試系統(tǒng)
產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
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硅穿孔工藝設(shè)備-光刻機(jī)
硅穿孔工藝設(shè)備
硅穿孔(TSV):通過芯片和芯片之間,晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的新技術(shù)。能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大,芯片之間的互連線最短,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能,使目前電子封裝技術(shù)中最引人注目的新技術(shù)。
特點(diǎn):
1.縮小封裝尺寸。
2.高頻特性出色,減少傳輸延時(shí)的一種技術(shù)。
3.降低芯片功耗,TSV可將硅鍺芯片的功耗降低約40%。
4.熱膨脹可靠性高。
硅穿孔工藝設(shè)備-光刻機(jī)
產(chǎn)品特點(diǎn):
應(yīng)用范圍:TSV工藝
晶圓尺寸:6英寸,8英寸,12英寸
工藝流程:Insulation, Barrier,Cu seed/fill/Prewet, Anneal
工藝特型:單晶圓面向上濕法工藝
薄膜沉積:Electrografting(eG) and Chemicalgrafting(cG) deposition
反應(yīng)物管路:CDS( Chemistry Delivery System)
系統(tǒng)參數(shù):單晶圓腔體工藝(手動(dòng),半自動(dòng))
多腔體工藝(自動(dòng))
--EFEM/FOUP(Robot/Pre-aligner)
--Transfer Robot
--Process cell
--Control unit
--Electric unit
--Chemical supply unit
--CDS