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          IM4000日立高新離子研磨裝置

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          西努光學(xué)創(chuàng)建于2003 年,主營(yíng)工業(yè)顯微鏡及制樣設(shè)備、鏡片測(cè)定設(shè)備,高速攝像系統(tǒng)、工業(yè)內(nèi)窺鏡、機(jī)器視覺等工業(yè)及科研應(yīng)用的檢測(cè)設(shè)備及系統(tǒng)集成。
          西努光學(xué)秉承“以光學(xué)為核心,為客戶提供解決方案”的經(jīng)驗(yàn)思路,經(jīng)過16年的努力,成為眾多企業(yè)、高??蒲袉挝惶峁└鞣N專業(yè)化的光學(xué)系統(tǒng)解決方案。并于2012 年導(dǎo)入SAP 管理系統(tǒng),通過系統(tǒng)資源整合,為客戶提供更優(yōu)質(zhì)、快捷的專業(yè)化服務(wù)。
          2016 年,我們積極引進(jìn)檢測(cè)設(shè)備的同時(shí)導(dǎo)入制樣等配套設(shè)備以豐富我們實(shí)驗(yàn)室平臺(tái),以更好的為客戶提供現(xiàn)場(chǎng)體驗(yàn),從微米到納米滿足客戶從制樣到結(jié)果分析的一站式體驗(yàn)服務(wù)。

          西努光學(xué) 誠(chéng)信為您服務(wù) 專業(yè)為您服務(wù)

          垂詢專線:400-6807517  

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          奧林巴斯顯微鏡,奧林巴斯工業(yè)內(nèi)窺鏡,iX高速攝像機(jī),標(biāo)樂金相制樣設(shè)備,威爾遜硬度計(jì),navitar鏡頭,日立掃描電鏡,加拿大WDI光學(xué)設(shè)備

          使用切片方式制備像紙張、纖維等軟材料截面樣品,容易使樣品變形錯(cuò)位;機(jī)械拋光處理的樣品表面經(jīng)常也會(huì)留下劃痕、污染和表面應(yīng)力,對(duì)樣品的形貌觀察和結(jié)構(gòu)分析帶來(lái)不利影響。日立新推出的IM4000離子研磨儀既可以對(duì)樣品進(jìn)行氬離子截面切割,可以進(jìn)行氬離子平面研磨,是截面樣品制備和平面樣品無(wú)應(yīng)力拋光的理想工具。IM4000日立高新離子研磨裝置

          日立高新離子研磨裝置IM4000具有斷面加工和平面研磨功能的混合儀器!

          日立高新離子研磨裝置IM4000的混合模式帶有兩種研磨配置:

          斷面加工:將樣品斷面研磨光滑,便于表面以下結(jié)構(gòu)高分辨成像。

          平面研磨:將樣品表面均勻研磨5平方毫米,從不同角度有選擇地研磨,以便突出樣品的表面特性。

          日立高新離子研磨裝置IM4000的高通量能提高加工效率:

          與之前的E-3500型相比,采用新型離子槍設(shè)計(jì),減少了橫截面研磨時(shí)間。(zui大加工率:硅元素為300微米/小時(shí) — 加工時(shí)間減少了66%。

          日立高新離子研磨裝置IM4000的可拆卸樣品臺(tái)裝置:為便于樣品設(shè)置和定義研磨邊緣,可將樣品臺(tái)裝置拆卸。

          特點(diǎn)  IM4000日立高新離子研磨裝置

          混合模式:兩種研磨配置

          斷面加工:將樣品斷面研磨光滑,便于表面高分辨觀察

          平面研磨:不同角度有選擇地,大面積,均勻地研磨5 mm的平面,以突顯樣品的表面特性

          高效:提高加工效率

          與之前的E-3500型相比,采用新型離子槍設(shè)計(jì),減少了橫截面研磨時(shí)間

          (zui大加工速度:硅材質(zhì)為300 μm/h - 加工時(shí)間減少了66%)

          可拆卸式樣品臺(tái):

          為便于樣品設(shè)置和邊緣研磨,樣品臺(tái)設(shè)計(jì)為可拆卸型  

          項(xiàng)目內(nèi)容
          平面研磨截面研磨
          使用氣體氬氣
          加速電壓0 ~ 6 kV
          zui大加工速率(材料Si)

          約20 m/h*1

          約2 m/h*2

          約300 m/h*3
          zui大樣品尺寸φ50×25(H)mm20(W)×12(D)×7(H)mm
          樣品移動(dòng)范圍X : 0 ~ +5 mmX :±7 mm、Y : 0 ~ +3 mm
          旋轉(zhuǎn)速度1 r/min、 25 r/min-
          擺動(dòng)角度±60°、±90°±15°、±30°、±40°
          傾斜角度0~90°-
          氬氣(Ar)流量控制方式質(zhì)量流量計(jì)(Mass Flow Controller)
          真空系統(tǒng)渦輪分子泵(33 L/s)+機(jī)械泵(135 L/min(50 Hz)、162 L/min(60 Hz))
          裝置尺寸616(W)×705(D)×312(H)mm
          重量主機(jī)48 kg+機(jī)械泵28 kg
           選配
          加工觀測(cè)用顯微鏡倍率 :15× ~ 100× 雙目型、三目型(可加裝CCD)
          真空轉(zhuǎn)移盒單元旋蓋式(O形圈密封)密閉樣品,樣品倉(cāng)內(nèi)打開旋蓋
          冷卻系統(tǒng)*4使用液氮間接冷卻樣品 ;冷卻Mask溫度 :-30℃以下*5 ;配有恢復(fù)到室溫的控制器

          *1 :照射角 0° 偏心量 0 mm *2 :照射角 60° 偏心量 4 mm ?。? :Si片突出遮擋板(Mask)邊緣100 m加工時(shí)的zui大深度  *4 :不能后裝,需出廠時(shí)配置  *5 :加入液氮30分鐘后遮擋板(Mask)的溫度



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