VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)測試系統(tǒng)是一個建立在電化學(xué)掃描探針的設(shè)計基礎(chǔ)上的，進行高測量分辨率及空間分辨率的非接觸式微區(qū)形貌及電化學(xué)微區(qū)測試系統(tǒng)。它是提供給電化學(xué)及材料測試以較高空間分辨率的一個測試平臺。每個VersaSCAN都具有高分辨率，長工作距離的閉環(huán)定位系統(tǒng)并安裝于抗震光學(xué)平臺上。不同的輔助選件都安裝于定位系統(tǒng)上，輔助選件包括，如電位計，壓電振動單元，或者激光傳感器，為不同掃描探針試驗，定位系統(tǒng)提供不同的功能。VersaSTAT恒電位儀和Signal Recovery 7230鎖相放大器和定位系統(tǒng)整合在一起，由以太網(wǎng)來控制，保證小信號的精確測量。

它是一個模塊化配置的系統(tǒng)，可以實現(xiàn)如下現(xiàn)今所有微區(qū)掃描探針電化學(xué)技術(shù)以及激光非接觸式微區(qū)形貌測試：

• Scanning Electrochemical Microscopy (SECM) 掃描電化學(xué)顯微鏡

          -AC-SECM 無氧化還原介質(zhì)掃描電化學(xué)顯微鏡

          -Stylus-Probe 柔性探針技術(shù)-等距離掃描電化學(xué)顯微鏡

• Scanning Vibrating Electrode Technique (SVET) 掃描振動電極測試

• Scanning Kelvin Probe (SKP) 掃描開爾文探針測試

• Localized Electrochemical Impedance Spectroscopy (LEIS) 微區(qū)電化學(xué)阻抗測試

• Scanning Droplet Cell (SDC) 掃描電解液微滴測試

• Non-Contact Surface Profiling (OSP) 非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測試                                                   

• Ion Selective Probe (ISP) 表面離子濃度成像系統(tǒng)

以上每項技術(shù)使用不同的測量探針，且安裝位置與樣品非常接近，但是不接觸到樣品。隨著探針測試的進行，改變探針的空間位置。然后將所記錄的數(shù)據(jù)對探針位置作圖，針對不同技術(shù)，該圖可以呈現(xiàn)微區(qū)電化學(xué)電流，阻抗，相對功函或者是表面形貌圖。

VersaScan微區(qū)掃描電化學(xué)測試系統(tǒng)包括 ：

VersaSCAN SECM
Scanning ElectroChemical Microscopy 掃描電化學(xué)顯微鏡系統(tǒng)

VersaSCAN SECM 整合了定位系統(tǒng)、兩臺VersaSTAT恒電位儀和錐形拋光的*微電極探針為一體。SECM多樣化的技術(shù)提供了高空間分辨率，可應(yīng)用于反應(yīng)動力學(xué)，生物傳感器，催化劑和腐蝕機理等研究。

• 兼容恒電位儀:  VersaSTAT 3F 和VersaSTAT 3/3F/4。

• 可進行逼近曲線實驗包含“反饋”模式和“發(fā)生-采集”模式兩種成像模式。

• 結(jié)合了表面形貌測量技術(shù)，如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP，可進行樣品表面定距離掃描，

• VersaSTATs 配置不同功能的操作軟件，能夠提供強大的成套的非掃描電化學(xué)測試，取決于其軟件模式。

VersaSCAN SVET
Scanning Vibrating Electrode Technique 掃描振動電極測量系統(tǒng)

VersaSCAN SVET 整合了定位系統(tǒng)及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動模塊, 電位計和單絲探針。 SVET技術(shù)測量溶液中的電壓降。電解液中的電壓降是由樣品表面的局部電流所導(dǎo)致的。 SVET提供高分辨率可應(yīng)用于不均勻腐蝕，點蝕，焊接和電耦合等。此外，SVET還有生物方面的應(yīng)用。

• 鎖相放大器:  Signal Recovery 7230

• 可進行線掃描和面掃描

• 當(dāng)設(shè)定不同的測量時間測量，可進行時間分辨成像

• 結(jié)合了表面形貌測量技術(shù)，如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP，可進行樣品表面定距離掃描，

VersaSCAN LEIS
Localized Electrochemical Impedance System微區(qū)電化學(xué)阻抗測試系統(tǒng)

VersaSCAN LEIS 整合了 定位系統(tǒng)和VersaSTAT 3F 及差分電壓選項, 靜電計，雙探頭探針。 LEIS技術(shù)是通過測量施加于樣品的交流電壓和由探針所測量的溶液中交流電流的比值，來計算局部阻抗，LEIS加入高的空間分辨率，可應(yīng)用于有機涂層，裸露的金屬腐蝕，和所有和增加的交流技術(shù)相關(guān)的應(yīng)用。

• 恒電位儀：VersaSTAT 3F及差分輔助選項

• 可進行固定頻率/掃描位置的數(shù)據(jù)成像，和固定位置/掃描頻率的Bode圖或者Nyquist圖。

• 當(dāng)設(shè)定不同的測量時間測量，可進行時間分辨成像

• 結(jié)合了表面形貌測量技術(shù)，如典型的如非接觸式微區(qū)形貌掃描系統(tǒng)OSP，可進行樣品表面定距離掃描，

VersaSCAN SKP
Scanning Kelvin Probe 掃描開爾文探針系統(tǒng)

VersaSCAN SKP整合定位系統(tǒng)及鎖相放大器技術(shù)(Signal Recovery Lock-in Amplifier), 壓電振動模塊, 電位計和鎢絲探針。SKP 技術(shù)測量探針和樣品表面位置的相對功函差。這是一個非破壞的技術(shù)，可運行于環(huán)境氣氛，潮濕氣氛和無電解液情況下。相對功函已經(jīng)被證實與腐蝕電位 (Ecorr)相關(guān)。SKP 提供的高空間分辨率可應(yīng)用于材料，半導(dǎo)體，金屬腐蝕，甚至這些材料上的涂層。

• 鎖相放大器:  Signal Recovery 7230

• 可進行表面形貌測量，測量和設(shè)置探針和樣品間的距離。

• 使用同一探針，結(jié)合所進行的表面形貌測量，進行樣品表面定距離掃描。

VersaSCAN SDC
Scanning Droplet Cell電解液微滴掃描系統(tǒng)

VersaSCAN SDC 整合電位系統(tǒng)和一臺VersaSTAT,  一個機械加工的PTFE 滴液系統(tǒng)頭, 以及一個蠕動泵。SDC 技術(shù)對電解液微滴進行電化學(xué)測量, 固定電極/電解液界面的面積。SDC提供高空間分辨率可應(yīng)用于動力學(xué)，腐蝕，流體研究和任何研究樣品表面微小面積而無需破壞樣品的應(yīng)用或者控制面積在不同電解液中的暴露時間的應(yīng)用。

• 恒電位儀: VersaSTAT 3 / 3F /4

• 可進行恒定電化學(xué)參數(shù)/位置掃描的數(shù)據(jù)成圖和固定位置/動態(tài)信號的繪圖，如循環(huán)伏安，塔菲爾, 電化學(xué)交流阻抗等。

• 可運行流動或者是靜止的電解液液滴。

VersaSCAN OSP
Non-Contact Optical Surface Profiling
非觸式光學(xué)微區(qū)形貌測試系統(tǒng)

VersaSCAN OSP整合定位系統(tǒng)和高精度，高速度激光位移傳感器。 OSP 技術(shù)使用漫反射機理用于樣品的表面形貌。OSP可作為非常靈敏水平的機制用于表面形貌測量，，或繪制地形圖與其它掃描探針技術(shù)一起應(yīng)用于樣品表面定距離掃描測試。