北京飛凱曼科技公司提供薄膜應(yīng)力測(cè)試儀。薄膜應(yīng)力測(cè)試儀，又名薄膜殘余應(yīng)力測(cè)試儀或薄膜應(yīng)力儀，是專門用于測(cè)試和研究薄膜材料和薄膜制備工藝的*的工具。

薄膜中應(yīng)力的大小和分布對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有重要的影響, 可導(dǎo)致薄膜的光、電、磁、機(jī)械性能改變. 例如, 薄膜中的應(yīng)力是導(dǎo)致膜開裂或與基體剝離的主要因素, 薄膜中存在的殘余應(yīng)力很多情況下影響MEMS 器件結(jié)構(gòu)的特性, 甚至嚴(yán)重劣化器件的性能, 薄膜的內(nèi)應(yīng)力對(duì)薄膜電子器件和薄膜傳感器的性能有很大的影響.因此, 薄膜應(yīng)力研究在薄膜基礎(chǔ)理論和應(yīng)用研究中起到重要的作用, 薄膜應(yīng)力的測(cè)量備受關(guān)注。再例如在硬質(zhì)薄膜領(lǐng)域，金屬氮化物、氧化物、碳化物等硬質(zhì)薄膜因具有*的耐磨、耐腐蝕等特性，被廣泛應(yīng)用于金屬材料的防護(hù)．硬質(zhì)薄膜的主要制備方法包括物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積技術(shù)．研究發(fā)現(xiàn)，沉積態(tài)硬質(zhì)薄膜中存在較大的殘余應(yīng)力，而且沿層深分布不均勻；該殘余應(yīng)力對(duì)硬質(zhì)薄膜一基體系統(tǒng)的性能影響很大-lJ_精確地測(cè)量硬質(zhì)薄膜的殘余應(yīng)力，系統(tǒng)研究它與沉積工藝的關(guān)系，對(duì)優(yōu)化硬質(zhì)薄膜基體系統(tǒng)的性能具有重要的意義．

本公司提供的基于經(jīng)典基片彎曲法Stoney公式測(cè)量原理，采用*控制技術(shù)和傻瓜化的操作，使得FST150薄膜應(yīng)力測(cè)量?jī)x特別適合于要求快速測(cè)量常規(guī)薄膜殘余應(yīng)力。 根據(jù)我們科研工作者*的扎實(shí)的理論研究和實(shí)際工藝探索，研制的一套適用于各種薄膜應(yīng)力測(cè)試的裝置。近年來，經(jīng)過國內(nèi)院校和科研單位的實(shí)際使用和驗(yàn)證，該儀器具有良好的重復(fù)性和準(zhǔn)確性，是一款廣泛應(yīng)用于各領(lǐng)域薄膜制備和材料研究的高性價(jià)比的儀器。

產(chǎn)品功能和特點(diǎn)：

自動(dòng)采集分析數(shù)據(jù)功能；

自動(dòng)掃查樣品邊緣，定位樣品中心；

自動(dòng)計(jì)算出曲率半徑值和薄膜應(yīng)力值；

對(duì)原始表面不平直的基片表面的薄膜，可采取原位測(cè)量的方式，計(jì)算薄膜應(yīng)力值。

技術(shù)參數(shù)：

1.原理：曲率法Stoney公式

2.薄膜應(yīng)力測(cè)量范圍：5MPa到50GPa；

3.曲率半徑測(cè)試范圍：0.3-20m

4.曲率半徑測(cè)試誤差：﹤±1%

5.薄膜應(yīng)力計(jì)算誤差：﹤±2%

6.測(cè)試平臺(tái)行程：X方向100mm，Y方向50mm

7.樣品尺寸：長(zhǎng)方形樣品

8.樣品定位：自動(dòng)定位原點(diǎn)

9.樣品校正：可計(jì)算校正原始表面不平直影響

10.主要功能：自動(dòng)測(cè)量采集計(jì)算曲率半徑和薄膜應(yīng)力

11.控制：獨(dú)立PC及控制軟件

12.儀器尺寸：1500x380x360mm

詳細(xì)信息請(qǐng)咨詢我們。

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